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低內阻電源30V8A場效應管 MOS管N溝道

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱東莞市惠海半導體有限公司
  • 品       牌
  • 型       號HC3600M
  • 所  在  地東莞市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2019/2/12 14:53:14
  • 訪問次數693
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  東莞市惠海半導體有限公司 經銷批發的中低壓mos、降壓恒壓芯片、降壓恒流芯片、降壓恒壓恒流芯片、主營LED汽車燈市場、LED電動車燈市場、LED摩托車燈市場、電動車GPS定位器市場、POE交換機市場及升壓恒壓芯片消費者市場,在消費者當中享有較高的地位,公司與多家零售商和代理商建立了*穩定的合作關系。東莞市惠海半導體有限公司經銷的中低壓mos、降壓恒壓芯片、降壓恒流芯片、降壓恒壓恒流芯片、升壓恒壓芯片品種齊全、價格合理。東莞市惠海半導體有限公司實力雄厚,重信用、守合同、保證產品質量,以多品種經營特色和薄利多銷的原則,贏得了廣大客戶的信任。東莞市惠海半導體有限公司(hxc-power)從成立初期代理其他公司的產品的同時就投入大量資金蓄力于電源管理芯片的研發設計,專注于LED、汽摩電子、中低壓mos等領域產品,公司有國內*電源工程師及芯片設計工程師,具有豐富的電子產品研發經驗,可充分配合客戶需要提供方案。公司始終和LED和電源行業內的優秀公司和優秀人才合作交流,熟悉市場應用的每個細節及客戶的切身需求,產品一直保持。公司專注于中低壓DCDC照明產品及中低壓DCDC電源轉換的應用探索,成功開發多款性能*的DCDC恒流恒壓芯片,產品涵蓋升壓恒流、升壓恒壓、降壓恒流、降壓恒壓、降壓恒流恒壓、升降壓恒流、線性恒流,并在汽車照明、電動車照明等領域占據較大的*。
 

  中低壓MOS管使用國內外*的溝槽工藝,比較同等8寸片晶圓具有更多的顆粒數更好的性能,確保了產品性能也降低了產品的終端成本。產品涵蓋150V系列、120V系列、100V系列、60V系列等。
 

  我們一直保持與國內*的晶圓廠、封裝廠及測試廠合作,對產品品質精益求精,力把品質關。為客戶提供的不僅僅是*的產品,還有優秀的解決方案和優質的服務,相信客戶會成為我們的伙伴并一起取得商業成功。本公司常年備有大量的現貨庫存,并接受訂貨服務。
 

  東莞市惠海半導體一直致力于建設高標準的芯片設計隊伍、高標準的產品應用隊伍、高標準的銷售隊伍,保持產品的不斷創新,力爭為客戶帶來具有競爭力的產品。為創造一個更綠地球而努力,為今天更為明天,惠海與您一起努力!

電源模塊,集成電路,半導體芯片
低內阻電源30V8A場效應管 MOS管N溝道
N溝道場效應管,內阻22mR,超低結電容445pF, 封裝:貼片(SOT23-3),低開啟電壓1.5V,超低結電容,低內阻,超低結電容,低開啟電壓,溫升低,轉換效率高,過電流大,抗沖擊能力強
低內阻電源30V8A場效應管 MOS管N溝道 產品信息

由于產品種類繁多,價格無法一一敘述,只作形式上標價,不作雙方買賣價格,如有需要請與我們的銷售溝通,以銷售終報價為準,給您帶來不便之處敬請諒解,謝謝!!!
HC3600M  一盤3000,*,貨源充足,量大價格更實惠
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深圳惠海半導體有限公司【中低壓MOS管廠家】,供應中低壓壓N溝道場效應管NMOS管 *,質優價廉 大量現貨 量大價優 歡迎選購,超低內阻,結電容超小,采用溝槽工藝,性能*,
東莞市惠海半導體有限公司專業20-150V系列中低壓NMOS管場效應管封裝制造、研發、生產、銷售
 
 
型號:HC3600M參數:30V8A ,類型:N溝道場效應管,內阻22mR,超低結電容445pF,  封裝:貼片(SOT23-3),低開啟電壓1.5V,超低結電容,低內阻,超低結電容,低開啟電壓,溫升低,轉換效率高,過電流大,抗沖擊能力強

低內阻電源30V8A場效應管 MOS管N溝道

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更多型號如下:
型號:HC160N10L    N溝道場效應管 100V10A(10N10)  TO-252封裝,可用于霧化器、車燈電源等
型號:HC080N10L    N溝道場效應管  100V17A(17N10)TO-252封裝,可用于加濕器、車燈電源等
型號:HC021N10L    N溝道場效應管    100V35A (35N10)TO-252封裝
型號:HC080N10LS  N溝道場效應管   100V15A SOP-8封裝
型號:HC15N10       N溝道場效應管   100V15A(15N10)TO-252封裝,可用于加濕器、車燈電源等
型號:HC012N06L    N溝道場效應管   60V50A(50N06 )TO-252封裝,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
型號:HC012N06LS  N溝道場效應管 55V50A  SOP-8封裝
型號:HC037N06L    N溝道場效應管  60V30A(30N06)TO-252封裝,可用于加濕器、霧化器、香薰機、美容儀
型號:HC037N06LS  N溝道場效應管  60V30A     SOP-8封裝
型號:HC080N06L    N溝道場效應管  60V15A 15N06 TO-252封裝
型號:HC080N06LS    N溝道場效應管  60V6A     SOT23-3封封裝
型號:HC080N06LSS    N溝道場效應管  60V10A  SOP-8封裝
型號:HC020N03L    N溝道場效應管  30V30A TO-252
型號:HC3600M       N溝道場效應管  30V8A       SOT23-3封裝
型號:HC3400M       N溝道場效應管  30V5.8A    SOT23-3封裝

型號太多,無法一一列出來,具體可以上惠海半導體網看或者來電,給您帶來不便敬請諒解,謝謝


 
東莞市惠海半導體有限公司
惠海半導體專業中低壓MOS管行業10年,經驗豐富,實力雄厚,惠海,可以做月結30天,惠海半導體是您值得信賴合作的實力中低壓MOS場效應管供應商
我們的優勢:*,價格優勢,貨源充足,*

 

Mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
當MOS電容的柵極(Gate)相對于襯底(BACKGATE)正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了,有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會出現表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion,反轉的硅層叫做溝道(channel)。隨著GATE電壓的持續不斷升高,越來越多的電子在表面積累,channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時,不會形成channel。所以MOS是電壓控制型器件。

 

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