本標準規定了半導體器件保護用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時間-電流特性、
分斷能力、截斷電流特性、lr特性、電弧電壓特性、試驗和標志。
本標準適用于交流額定電壓不超過1 200V或直流額定電壓不超過1 500V的電路中具有半導體器
件的設備上使用的熔斷體。
注：①在多數情況下，以組合設備的一部分作為熔斷體的底座。由于設備種類繁多，難以作出一般的規定。組合設
備是否適合用作熔斷體的底座，應由用戶與制造廠協商。但是，當采用獨立的熔斷器底座或支持件時，則它
們應符合GB 13539.1的有關規定。
②這種熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”。
