無掩膜光刻機 激光直寫系統
紫外激光直寫設備/無掩膜光刻機，uLaser型
是一個高價值的直寫激光光刻機系統，面向大學和研究機構尋求擴大他們的能力。
它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫。你可以寫任何東西，從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型，集成相機可以用來調整現有的功能寫。
我們對其進行了優化，以便于使用和簡單維護，限度地利用現成的部件，而不犧牲書寫質量或功能。
直接激光書寫光刻
直接激光光刻技術通過消除光掩模生產對外部供應商的依賴，大大降低了微流體、微電子、微機械和材料科學研究等領域的成本和執行時間。
High resolution lithography
sub-micron resolution and produce 10um features.
Big writing area
make full size photomasks for production or in-house usage.
Change spot sizes easily
The last lens is an industry standard microscope objective. Replace it to change the spot size! We include three microscope objectives.
Use the optics for inspection
Using the confocal yellow illumination and camera you can use the µLaser as a microscope
375nm Laser
Rotary stage for alignment
μLaser隨其控制軟件在PC上提供。它允許您從GDSII文件的單元格或直接從PNG圖像導入要寫入的設計。
一切都是通過一個用戶友好的圖形界面來完成的，它允許您在執行之前預覽要編寫的設計。
除了對每個設計應用旋轉、反射、反轉或比例調整等變換外，還可以在單個過程中組合多個設計。
在確定了設計方案后，采用了所包含的工作臺控制模塊和共焦顯微鏡。
使用它們，您可以設置基片上工藝的原點位置和感光表面上的焦平面。
接下來執行該過程并將設計寫在表面上。
技術指標：
XY工作臺
典型寫入速度：100-120 mm/s
面積：100x92 mm^2
最小面積：沒有最小面積
單向定位臺階：X=0.16µm，Y=1.00µm
慢速X軸上的機械噪聲：<1µm
快速Y軸上的機械噪聲：<1µm
多層對準精度：5-10µm（可選旋轉臺，便于對準）
實際最小特征尺寸：6-15µm，取決于特征（示例見下圖）
軟件
支持的格式：PNG、GDSII
在軟件轉換：，旋轉、反射、反轉、重縮放、添加邊框
-可以在一個進程中編寫來自不同文件的多個設計
-通過3點線性或4點雙線性聚焦測量進行傾斜/翹曲基板補償
-全床曲率補償的網格型標定
光學
-激光波長：405nm（可選375nm）
-激光聚焦、對準和檢測用共焦顯微鏡
-二次獨立黃色照明
-激光光斑尺寸可以使用工業標準顯微鏡物鏡改變
精度：
-精細：0.8µm
-介質：2µm
-粗粒：5µm
大面積包含目標的有效書寫速度（單向書寫）：
-精細：1.7 mm^2/min
-中等：4.25 mm^2/min
-粗糙度：10.6 mm^2/min
在雙向寫入模式下速度加倍。
