儀器簡介：

GDS850輝光放電光譜儀

輝光放電光譜法采用低壓，冷激發光源，材料被氬離子流均勻地從樣品表面剝離濺射。 被濺射出的材料原子在遠離樣品表面低氬的等離子體內被激發。 GDS850的配備提高了實驗室的質量控制和研發能力，它提供了非常準確的基體分析以及成分深度剖析涂層分析和表面處理的結果。 儀器檢測光譜范圍從120到800納米，最多配置58個通道。

特征

• 濺射與激發分離

• 寬動態范圍的線性校準曲線

• 更小自吸收和材料再沉積

• 原子線激發

• 少和窄的發射線減少干擾

• 無冶金記憶效應

• 較少的校準標樣

• 低氬氣消耗

• 兩次分析間的自動清掃

均勻的濺射

其他方法可能只是激發樣品表面，所采集的數據并不一定具有代表性。而輝光放電，樣品材料均勻地從表面激發濺射， 冷光源的激發為一些困難樣品的檢測提供了很好的技術。

以下為對一個硬盤表面100nm深度每種元素3次分析的結果，可以看到每種元素隨深度的分布。 

可選件

• 射頻光源

• 統計軟件包

• 光源套件

• 樣品夾持器

• SMARTLINE遠程診斷軟件求

• 耗材

相關信息

• gds850參考卡(203-104-039)

• gds850樣本

• 文章：輝光放電-涂層分析的現代方式

• 應用報告：QDP物理氣相沉積法（102）

• 應用報告：GDS鎳及鎳基合金（052）

• 應用報告：GDS深度剖面分析（033）

• 應用報告：鍍鋅鋼（001）

• 應用報告：拋光不銹鋼上的薄氧化層（002）

• 應用報告：鋁合金基板上的商用硬盤（003）

• 應用報告：玻璃基板上的40GB硬盤在（- 004）

• 應用報告：氧化鋁樣品中的鉻（- 005）

• 應用報告：NIST 2135c（- 006）

• 性能報告：GDS分析基體樣品的分析前準備（031）

• 性能報告：GDS ASTM E415真空法（030）

• 性能報告：GDS校準（- 041）

• 性能報告：GDS輝光放電光源（035）

• 性能報告：GDS ASTM E1009（- 044）

• 性能報告：鋁膜QDP分析（028）

• 性能報告：鍍鋁鋼的涂層分析（040）

• 性能報告：滲碳鋼的QDP分析（036）

• 性能報告：粘彈性鋼夾層QDP分析（034）

• 性能報告：磷酸鐵涂層QDP分析（043）

• 性能說明：鍍鋅鋼QDP分析（027）

• 性能說明： QDP分析電鍍樣品（024）

• 性能說明：GDS850硬盤深度剖面-048