蔡司Crossbeam將場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)鏡筒的強大成像和分析性能與新-代聚焦離子束( FIB)的優異加工能力相結合
無論是切割、成像或進行3D分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應用體驗。借助Gemini電子光學系統，您可從高分辨率掃描電子顯微鏡( SEM)圖像中獲取真實的樣品信息。lon-sculptor FIB鏡筒整體上引入了全新的FIB加工方法。這種方法能夠減少樣品損傷，提升樣品質量，從而加快實驗進程。
通過為您量身定制儀器，可以實現高質量和高速度的TEM薄片樣品制備。Crossbeam 350具有可選的可變氣壓功能。Crossbeam 550可以針對您急需的樣品實現更嚴苛的制樣與表征，以及選擇更適配樣品的樣品倉尺寸。
無論用于科研機構還是工業實驗室，單用戶實驗室或多用戶實驗平臺，如果您追求獲得高質量，高影響力的實驗結果，則蔡司Crossbeam的模塊化平臺設計允許您根據自身需求變化，隨時對儀器系統進行升級。
更簡單、更智能、更高度集成
深入洞察樣品的2D、3D細節
蔡司Crossbeam的Gemini電子光學系統提供出色的樣品圖像。該技術除擁有高信噪比優勢外，還具備高分辨率和高襯度，在加速電壓較低時亦能保持高水準。利用FIB在低電壓.下的出色性能可制備出高質量損傷小的樣品(如TEM薄片樣品)，并在獲取3D數據中對樣品進行全面表征。同時，系統還采用多種探測器，的能量選擇背散射(InlensEsB)探測器可進行純材料成分襯度的成像。可在維持樣品倉內高真空的同時利用局部電荷補償，或采用Crossbeam 350選配的可變氣壓模式，均可使用戶在測試非導電樣品時不受荷電效應干擾。
提升樣品制備效率
將Gemini光學系統與全新的FIB加工方法相結合:憑借lon-sculptor FIB鏡筒在低電壓下的優異性能，可快速獲得精確的結果，同時降低樣品的非晶體化損傷。在制備TEM薄片樣品，尤其是挑戰性的樣品時，可充分發揮這些優勢。FIB 的大束流功能還擁有更多優勢，包括使用高達100 nA的束流，不僅為您節省時間，同時可獲得更高的FIB加工精度，自動批量制備截面或用戶自定義圖形，可以節省更多時間。優化的日常工作流程增強了FIB 離子源的使用壽命和穩定性，且在長期實驗中更具優勢。
出色的3D分辨率
憑借出色的3D分辨率和各向一致三維體素尺寸，用戶可在FIB-SEM斷層掃描成像中獲取更精準、可靠的結果。Inlens EsB探測器能對深度小于3 nm的樣品切片進行探測和成像。為其開發的Altas5，可快速且精確地控制每一片切片厚度，幫助您擴展Crossbeam產品的3D采集功能。您還可以在切片的同時進行成像，從而大大節約時間。此外，對三維體素尺寸的實時追蹤和全自動圖像聚焦像散流程也會讓您獲益匪淺。同時，Atlas5中全新集成的分析模塊可在斷層成像期間進行3D EDS和3D EBSD分析。
技術參數
| 蔡司Crossbeam 350 | 蔡司Crossbeam 550 | |
| 掃描電子顯微鏡(SEM) | 肖特基發射源 | 肖特基發射源 |
| 1.7nm@1 kV 0.9 nm @15 kV | 1.4 nm @1 kV | |
| 1.2 nm @1 kV,配備Tandem decel | ||
| 1.6 nm @ 200 V,配備Tandem decel | ||
| 0.7 nm @15 kV | ||
| 0.7 nm @30 kV(STEM模式) | 0.6 nm @30 kV(STEM模式) | |
| 2.3 nm @1kV(工作距離5mm) 1.1 nm @15kV(工作距離5mm) | 1.8 nm @1 kV(工作距離5mm) | |
| 1.3 nm @1kV,配備Tandem decel(工作距離5mm) | ||
| 0.9 nm @15 kV(工作距離5mm) | ||
| 2.3 nm @20 kV&10 nA(工作距離5mm) | 2.3 nm @20 kV&10 nA(工作距離5mm) | |
| 電子束流：5 pA-100 nA | 電子束流：10 pA-100 nA | |
| 聚焦離子束(FIB) | 液態金屬離子源：壽命：3000μAh | 液態金屬離子源：壽命：3000μAh |
| 分辨率：3 nm @30 kV(統計方法) | 分辨率：3nm @30 kV(統計方法) | |
| 分辨率：120nm@1kV&10pA(可選) | 分辨率：120 nm @1kV&10 pA | |
| 檢測器 | Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可變氣壓二次電子探測器)、 | Inlens SE、Inlens EsB、ETD(Everhard-Thornley探測器)、 SESI(二次電子二次離子探測器)、aSTEM(掃描透射電子探測器)、 aBSD(背散射探測器)和CL(陰極熒光探測器) |
| 樣品倉規格和端口 | 標準樣品倉配有18個可配置端口 | 標準樣品倉配有18個可配置端口 大型樣品倉配有22個可配置端口 |
| 樣品臺 | X/Y=100 mm | X/Y =100mm X/Y=153mm |
| Z=50 mm, Z'=13 mm | Z=50 mm,Z'=13 mm Z=50 mm,Z'=20 mm | |
| T=-4°至70°,R=360° | T=-4°至70°,R=360° T=-15°至70°,R=360° | |
| 電荷控制 | 電子束流槍 | 電子束流槍 |
| 局部電荷中和器 | 局部電荷中和器 | |
| 可變氣壓 | - | |
| 氣體 | 單通道氣體注入系統：Pt、C、SiOx、W、H?O | 單通道氣體注入系統：Pt、C、SiOx、W、H?O |
| 多通道氣體注入系統：Pt、C、W、Au、H?O、SiOx, XeF2。 | 多通道氣體注入系統：Pt、C、W、Au、H2O、SiOx、XeF2。 |
| 蔡司Crossbeam 350 | 蔡司Crossbeam 550 | |
| 存儲分辨率 | 32k×24k(使用選配的ATLAS 53D斷層掃描模塊，可高達50k×40k) | 32k×24k(使用選配的ATLAS53D斷層掃描模塊，可高達50k×40k) |
| 可選分析附件 | EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要還可提供其他選件 | EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要還可提供其他選件 |
| 優勢 | 由于采用可變氣壓模式及廣泛的原位實驗，可大幅擴大樣品兼容性。 | 以高通量完成分析與成像，且在各種條件下皆可獲得高分辨率。 |
| 可伸縮ToF-SIMS二次離子質譜儀 |
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| 探測限值：<4,2 ppm(硅中的硼) | ||
| 橫向分辨率：<35 nm | ||
| 質荷比范圍：1-500 Th | ||
| 質量分辨率：m/△m>500 FWTM | ||
| 縱向分辨率：<20 nm AlAs/GaAs多層結構 | ||
| 飛秒激光器 |
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| 類型：DPSS(二極管抽運全固態激光器) | ||
| 波長(λ): 515 nm(綠色) | ||
| 光路：遠心光路 | ||
| 脈沖間隔：<350 fs | ||
| 束斑尺寸：<15μm | ||
| 掃描范圍：40x40 mm² | ||
