GeminiSEM系列場發射掃描電子顯微鏡具有出色的探測效率，能夠輕松地實現亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細節信息靈敏度讓您在對任意樣品進行成像和分析時都具備更佳的靈活性，為您在材料科學研究、生命科學研究、工業實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像，提供靈活、可靠的場發射掃描電子顯微鏡技術和方案。
GeminiSEM 系列產品:高對比度、低電壓成像的場發射掃描電子顯微鏡
蔡司GeminiSEM 系列產品具有出色的探測效率，能夠輕松地實現亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細節信息靈敏度讓您在對任意樣品進行成像和分析時都具備更佳的靈活性，為您在材料科學研究、生命科學研究、工業實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像，提供靈活、可靠的場發射掃描電子顯微鏡技術和方案。
運用GeminiSEM系列產品，您可輕松獲取真實世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結果.
l GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現給您更強的信號和更豐富的細節信息，其創新設計的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺；
l GeminiSEM 450 具有出色的易用性設計、更快的響應和更高的表面靈敏度，使其能快速、靈活、可靠地對樣品進行表面成像和分析，充當您的得力助手；
l GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野，可方便地選取適合樣品的真空度等環境參數，使FESEM初學者也能快速掌握；
產品特點
更強的信號，更豐富的細節
GeminiSEM 500 為您呈現任意樣品表面更強的信號和更豐富的細節信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。
l 經優化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低；
l 在低電壓下擁有更高的信噪比和更高的襯度，二次電子圖像分辨率1 kV達0.9nm，500 V達1.0 nm，無需樣品臺減速即可進行高質量的低電壓成像，為您呈現任意樣品在納米尺度上更豐富的細節信息；
l 應用樣品臺減速技術-（Tandem decel），可在1 kV下獲得高達0.8nm二次電子圖像分辨率；
l 創新設計的可變壓力模式-NanoVP技術，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。
更高的速度與靈敏度，更*的成像和分析
GeminiSEM 450更快的響應和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進行表面成像和分析，簡便、快速地進行EDS能譜和EBSD等分析，同時保持出色的空間分辨率，充當您的得力助手。
l 在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低電壓條件下工作時更為優異；
l 可快速地對樣品進行大范圍及高質量成像；
l 經優化的電子光學鏡筒，減少了工作過程中進行重新校準的復雜流程，節省成像時間，提高工作效率；
l 無論是不導電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品，無論是高真空或是可變壓力模式，均可實現快速和高質量的成像和分析.
更靈活的成像方式
無論是用戶還是初學者，GeminiSEM 300將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進行*大視野范圍成像的樂趣，并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現。
l 得益于高效的信號采集系統和優異的分辨率性能，可實現快速、高質量、無畸變的大范圍成像；
l 創新設計的高分辨率電子槍模式，為對磁性樣品、不導電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案；
l 蔡司獨樹*幟的鏡筒內能量選擇背散射探測器，在低電壓下也可輕松地獲得高質量的樣品材料襯度圖像；
l NanoVP技術讓您可以使用鏡筒內Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導電樣品進行高靈敏度、高分辨成像。
技術參數
型號 | GeminiSEM 500 | GeminiSEM 450 | GeminiSEM 300 |
熱場發射電子槍，穩定性優于0.2 %/h | |||
加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
探針電流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
（100 nA配置可選） | （100 nA或300 nA配置可選） | （100 nA配置可選） | |
存儲分辨率 | **達32k × 24k 像素 | ||
放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
標配探測器 | 鏡筒內Inlens二次電子探測器 | ||
樣品室內的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
可選配的 項目 | 鏡筒內能量選擇背散射探測器 | ||
- | 角度選擇背散射探測器 | 角度選擇背散射探測器 | |
環形STEM探測器（aSTEM 4） | |||
EDS能譜儀 | |||
EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
NanoVP可變壓力模式 | |||
高效VPSE探測器（包含在NanoVP可變壓力選件中） | |||
局部電荷中和器 | |||
可訂制特殊功能樣品臺 | |||
環形背散射電子探測器 | |||
陰*射線熒光探測器 | |||
Gemini電子光學系統
Gemini 1 –成熟的Gemini技術概覽
場發射掃描電子顯微鏡具有更高的分辨率，離不開其性能優異的電子光學鏡筒。蔡司Gemini技術專為對任意樣品進行高分辨成像設計，尤其在低電壓下保持完整和高效的探測系統、出色的分辨率和易用性等特點。
蔡司Gemini電子光學鏡筒具有以下三個主要特點
蔡司Gemini物鏡的設計結合了靜電場和磁場，在提高其電子光學性能的同時將它們對樣品的影響降至更低。無漏磁物鏡設計，可以對如磁性材料等*具挑戰的樣品同樣地進行高品質成像；
蔡司Gemini電子束推進器技術，讓電子束經過加速后以高電壓通過鏡筒，最終再減速至設定電壓后進入樣品倉，很大程度地減小電子束的像差，保證了在非常低的加速電壓下仍可獲得小束斑和高信噪比；
蔡司Gemini 鏡筒的設計理念將Inlens二次電子（SE）和背散射電子（BSE）探測器均放置在鏡筒內正光軸上，使兩者均具有更高的信號采集效率且可以同時成像，有效的縮短了獲取圖像的時間，更*地提高工作效率。
蔡司Gemini技術優勢能為您提供以下便利：
經校準后的鏡筒具有長期的穩定性，您在日常使用時只需要簡易地設定基本的參數，如加速電壓、探針電流等；
無漏磁的物鏡設計，可對包括磁性樣品在內的各類型樣品進行無畸變、高分辨率的成像；
Inlens二次電子探測器具有高效的SE 1信號采集效率，給您呈現來自樣品*表面的真實形貌圖像；
鏡筒內能量過濾背散射探測器以其創新的設計理念，使您在低電壓下可獲得高分辨率、高襯度、以及更真實的樣品材料襯度圖像。
Gemini 1類型鏡筒 -延續創新和發展
如今，掃描電子顯微鏡（SEM）在低電壓下的高分辨成像能力，已成為其在各項應用領域中的標準配置。
低電壓下的高分辨率成像能力，在以下應用領域中扮演著尤為重要的角色：
電子束敏感樣品
不導電樣品
獲取樣品*表面的真實形貌信息
Gemini的革新電子光學設計，應用高分辨率電子槍模式、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺減速技術（選配），有效提高了在低電壓時的信號采集效率和圖像襯度。
Gemini 2類型鏡筒-出色的綜合性能，為您所欲為
要實現對任意樣品都能進行高質量的測試和表征，掃描電子顯微鏡必須在成像和分析方面都具備優異的性能，同時能給用戶簡單易用的操作體驗。如今，Gemini 2鏡筒可滿足您在這些方面的各種需求：
GeminiSEM 450 配置雙聚光鏡的Gemini 2類型電子光學鏡筒；
在確保獲得出色的小電子束斑的同時，束流連續可調；
可在低束流的高分辨率成像與高束流的分析模式之間進行無縫切換；
調整工作參數后無需對電子束進行重新校準，為您節約時間，提高儀器效率；
操作靈活易用，高電子束能量密度下的高分辨率成像，低束流分析，高束流分析等各類不同的工作模式，*切由您而定；
物鏡無漏磁設計，在大視野范圍成像和EBSD分析中不會引起畸變，確保獲得樣品高質量的圖像；
出色、穩定的電子光學鏡筒，對各種類型的樣品都能簡單快速的進行高分辨率成像，即使在使用中樣品需要傾斜，甚至是對磁性樣品進行成像；
P搭載局部電荷中和器或NanoVP可變壓力模式，有效地消除樣品的表面荷電，讓您在出色參數下對樣品進行成像和分析。
NanoVP可變壓力模式-更豐富的細節，更靈活的適用性
NanoVP可變壓力模式技術，為您提供對不導電樣品成像**的解決方案，更大程度地發揮鏡筒內Inlens探測器高性能和高分辨率的優異性能：
消除不導電樣品的表面荷電現象；
NanoVP可變壓力技術有效地減小電子束展寬，確保在可變壓力模式中發揮鏡筒內Inlens探測器的優異性能，獲得高分辨率的圖像，可變壓力范圍可高達150 Pa；
因此，即使是在可變壓力模式下，鏡筒內Inlens二次電子探測器和EsB背散射探測器仍可同時成像，助您獲得樣品*表面的高分辨形貌圖像和更高襯度的背散射圖像；
樣品室內同時搭載VPSE探測器，可對要求更為苛刻的樣品在高達500 Pa的壓力下進行高質量成像。
