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YSSG100F型振弦式表面應變計

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱上海禹勝信息科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地上海市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2024/3/4 12:44:51
  • 訪問次數327
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上海禹勝信息科技有限公司創建于2013年5月一家專注于傳感器應用技術、自動化數據采集技術、自動化測試與控制技術、以及自動化服務系統的研發、生產、銷售高科技企業。公司即提供相關的產品服務,同時也提供系統集成服務,針對客戶特殊需求,也針對提供特色、實用的系統解決方案。公司的產品與技術服務領域主要包括結構健康監測、防災減災工程、汽車測試技術、風電在線監測、工廠自動化等領域上海禹勝信息科技有限公司始終注重對較早的傳感器應用技術、*的自動化技術的研究投入、應用,時刻地客戶提供優質精準的產品服務和系統性的解決方案。

監測類傳感器;光器件檢測儀器;自動化在線監測系統;
YSSG100F型振弦式表面應變計
上海禹勝信息科技有限公司是一家專注于傳感器應用技術、自動化數據采集技術、自動化測試與控制技術、以及自動化服務系統的研發、生產、銷售的高科技企業。公司既提供相關的產品服務,同時也提供系統集成服務,針對客戶特殊的需求,也針對性地提供特色的、實用的系統解決方案。
YSSG100F型振弦式表面應變計 產品信息

YSSG100F型振弦式表面應變計

YSSG100F型振弦式表面應變計

 

       

產品概述

適用于各類水利水電工程,*布設在水工建筑物或其它建筑物的表面,測量結構物表面應力發生變化時的應變量,適用于各類水工建筑物、橋梁、隧洞、砼邊墻、砼底板等結構物的應力*監測,并可同步測量布設點的溫度。

振弦式表面應變計彈性模量小,與被測結構物的隨動性好,測量中不會干擾原應力場,其包含式設計,全不銹鋼結構,安裝簡單,使用可靠,并可回收重復使用。

 

依據標準

 

GB/T 3408.1-2008《大壩監測儀器 應變計》

GB/T 3408.2-2008《大壩監測儀器 應變計》

GB/T 15406-2007《巖土工程儀器基本參數及通用技術條件》

GB/T 24105-2009《巖土工程儀器基本環境試驗條件及方法》

GB/T 13606-2007《巖土工程儀器 振弦式傳感器通用技術條件》

 

 

 

技術參數

量程

±1500µε(拉伸/壓縮)

分辨率

<0.5µε/F

精度

±0.1%F.S

工作溫度

-40℃~150℃

外形尺寸

標尺:100/83mm,直徑:22mm,端直徑:24mm

耐水壓

>0.5Mpa

測溫精度

±0.5℃

溫度修正系數

13.5µε/℃

彈性模量

200~500Mpa

 

 

計算方法

應變計的一般計算公式: εm = k△F + b△T = k(F - F0)+ (b -α)(T - T0),

式中:εm — 被測結構物的應變量,單位為10-6;

         k — 應變計的測量靈敏度,單位為10-6/F;

       △F — 應變計實時測量值相對于基準值的變化量,單位為F;

       △T — 溫度實時測量值相對于基準值的變化量,單位為℃;

         F — 應變計的實時測量值,單位為F;

         F0 — 應變計的測量基準值,單位為F;

         b — 應變計的溫度修正系數,單位為10-6/℃;

         α— 被測結構物的線膨脹系數,單位為10-6/℃;

         T0 — 溫度的實時測量值,單位為℃;

注:頻率模數F=Hz2×10-3。

 

通過仔細選擇和使用應變計,可以保證這種困難的測量得到良好的結果。

  要點
  應變計的制造可以采用金屬箔、硅或壓敏電阻材料。
  應變計提供電阻值變動小,因此可用于橋式結構。
  制造一只應變計的zui后一步是將其粘到部件上。
  注意部件內的殘余應力。這些應力會在輕載下造成災難性的故障。
  應變計放大器很昂貴,因為它們難以制造。須有充分理由才可設計自己的橋式接口電路。
  好的測量要花數周時間,而不止數小時。

  應變計是很多種類傳感器包 括壓力傳感器、稱重傳感器、轉矩傳感器以及位置傳感器等使用的基礎檢測元件。大多數應變計都是箔片型,有各種形狀和尺寸選擇,滿足各種應用(圖1)。它們 由安裝在支撐材料上的一種電阻式箔片結構組成。其工作原理是:當給箔片施加應力時,箔片的電阻會按一定的規律改變。箔片規有zui高的精度,但它們也很貴,會 產生難以放大的小信號。應變計也可以是硅的,它采用薄膜半導體工藝,將金屬沉積在硅片芯上。這種芯片通常是一種MEMS(微機電系統),構成能響應壓力變 化的可彎曲膜片。承載膜片結構的同一個硅芯片中也可以有對輸出作放大和線性化以及對溫度效應作補償的電路。

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