反應離子刻蝕設備
Reactive Ion Etching - RIE
SI 591 反應離子刻蝕設備是 SENTECH 設計的緊湊型模塊化刻蝕設備，具有高靈活性，適用于化合物半導體、聚合物、介質、金屬和硅工藝刻蝕，可配置單反應腔體或帶預真空室和片盒站的多腔系統，也可以升級到 CVD Cluster中。帶預真空室的設備支持使用氯基氣體。
基于SI 591反應離子刻蝕的CVD Cluster
設備主要特點
● 工藝靈活，功能齊全：SI 591等離子體刻蝕設備配備高真空抽氣系統，可適用于氯基和氟基等腐蝕性等離子蝕刻工藝。
● 占地面積小且模塊化程度高：SI 591等離子體刻蝕設備單腔帶預真空室的占地面積為：655 × 1050 mm2，可配置為單個反應腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設備，也可集成于CVD Cluster。
● SENTECH控制軟件：
● 我們的等離子蝕刻設備有功能強大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面、參數窗口、工藝窗口、數據記錄和用戶管理。
● 預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得 SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是 SI 591 的設計特點。樣品直徑可達 200 mm，通過載片器加載。
● 位于頂部電極和反應腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納 SENTECH 激光干涉儀或 OES 和 RGA 系統。橢偏儀端口可用于 SENTECH 橢偏儀進行原位監測。
● SI 591 結合了計算機控制的 RIE 平行板電極設計的優點和預真空室系統。SI 591 可配置用于各種材料的刻蝕。在 SENTECH，我們提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或多達六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，目標是高靈活性或高產量。SI 591 也可用作多腔系統中的一個工藝模塊。
應用展示
介質，半導體，硅，金屬刻蝕
SI 591 等離子刻蝕設備
● 占地面積小的 RIE 等離子刻蝕
● 預真空室
● 支持鹵素和氟基氣體
● 適用于 200 mm 的晶圓
● 可集成原位激光干涉儀和基于OES的終點監測
