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SENTECH-電感耦合等離子刻蝕機(jī) - (SI 500)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱上海德竹芯源科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號SI 500
  • 所  在  地上海
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2024/4/7 9:44:46
  • 訪問次數(shù)168
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上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領(lǐng)域的設(shè)備銷售、系統(tǒng)集成、設(shè)備國產(chǎn)化的公司。主要為高校、研究所、中試量產(chǎn)線及晶圓FAB廠提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備、檢測設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備。目前公司已成為國內(nèi)少數(shù)幾家專業(yè)提供半導(dǎo)體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業(yè)。公司主要成員為復(fù)旦大學(xué)、上海微系統(tǒng)所等半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)博士,擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)過硬的團(tuán)隊。能夠出色地完成售前售中、售后的服務(wù)。目前公司已與眾多國際半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根據(jù)用戶的科研方向和量產(chǎn)的器件類別提供相應(yīng)的全套設(shè)備選型和工藝整體解決方案。
無線電綜合測試儀
SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA,動態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動控制的真空系統(tǒng),使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的的 SENTECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設(shè)計特點(diǎn)。
SENTECH-電感耦合等離子刻蝕機(jī) - (SI 500) 產(chǎn)品信息

電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

Inductively Coupuled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE


SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA,動態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動控制的真空系統(tǒng),使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的的 SETECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設(shè)計特點(diǎn)。可用于加工各種各樣的襯底,從直徑高達(dá) 200 mm 的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,且切換工藝非常容易。通過配置可用于刻蝕不同材料,包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體 (GaAs, InP, GaN, InSb),介質(zhì),石英,玻璃,硅和硅化合物 (SiC, SiGe),還有金屬等。 SENTECH 提供用戶不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP 等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。


設(shè)備主要特點(diǎn):

自主研發(fā)的ICP等離子源:三螺旋平行板天線 (PTSA) 等離子源是 SENTECH 等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA 源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

高速刻蝕:對于具有高深寬比的高速硅基 MEMS 刻蝕,光滑的側(cè)壁可通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實(shí)現(xiàn)。

低損傷刻蝕:由于離子能量低,離子能量分布帶寬窄,因此可以用等離子體刻蝕機(jī) SI 500 進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

動態(tài)溫度控制:在等離子體刻蝕過程中,襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動態(tài)溫度控制的 ICP 襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感,可在 -150°C 至 +400°C 的廣泛溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)良的工藝條件。


應(yīng)用展示:

SI 500

ICP 等離子刻蝕機(jī)

帶預(yù)真空室

適用于 200 mm 的晶片

襯底溫度從 -20?°C 到 300?°C


SI 500 C

等溫 ICP 等離子刻蝕機(jī)

帶傳送腔和預(yù)真空室

襯底溫度從 -150?°C 到 400?°C


SI 500 RIE

RIE 等離子刻蝕機(jī)

背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案

電容耦合等離子體源,可升級成 ICP 等離子體源 PTSA


SI 500-300

ICP 等離子刻蝕機(jī)

帶預(yù)真空室

適用于 300 mm 晶片

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