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西安廠家直供易恩柵電荷測試系統(tǒng)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號ENS1040
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2024/5/19 18:10:05
  • 訪問次數(shù)136
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西安誼邦電子科技有限公司為國家*產(chǎn)業(yè)園、西安市重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專業(yè)技術(shù)知識和多年的測試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗。 公司引進(jìn)美國*半導(dǎo)體測試技術(shù),在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了系列半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng),該測試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測試、半導(dǎo)體分立器件測試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 科技創(chuàng)新、服務(wù)無限,是我們工作的宗旨。

主營范圍:1.IGBT測試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng) 4.分立功率器件測試儀 5.可控硅整流器測試(儀) 6.MOS 場效應(yīng)管測試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測試(儀) 9.光電耦合器測試(儀) 11.繼電器測試(儀)

 

分立器件測試,圖示儀,大功率IGBT測試儀,雪崩測試儀
西安易恩電氣科技有限公司一直致力于分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng)的生產(chǎn),以*的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,具有完善的質(zhì)量保證體系。優(yōu)質(zhì)的分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng),*的技術(shù),科學(xué)管理,滿足了客戶的需要,成為顧客心中較信賴的分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng)廠家,西安易恩電氣科技有限公司不會辜負(fù)消費(fèi)者
西安廠家直供易恩柵電荷測試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

西安廠家直供易恩柵電荷測試系統(tǒng)

ENS1040柵電荷測試系統(tǒng)

西安易恩電氣科技有限公司一直致力于分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng)的生產(chǎn),以*的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,具有完善的質(zhì)量保證體系。優(yōu)質(zhì)的分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng),*的技術(shù),科學(xué)管理,滿足了客戶的需要,成為顧客心中較信賴的分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng)廠家,西安易恩電氣科技有限公司不會辜負(fù)消費(fèi)者對我們的信賴與支持,立志為您提供更低的分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng)價格和更貼心的銷售業(yè)務(wù)。西安易恩電氣科技有限公司從事專業(yè)生產(chǎn)加工多年,擁有完整、科學(xué)的質(zhì)量管理體系。產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠,供貨能力強(qiáng)。秉著質(zhì)量為先的理念來生產(chǎn)的產(chǎn)品,誠信經(jīng)營的態(tài)度來回應(yīng)客,讓顧客滿意是我們的動力。公司在*的發(fā)展過程中分立器件測試設(shè)備、元器件檢測設(shè)備、IGBT測試儀、功率器件測試系統(tǒng)產(chǎn)品以過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、良好的產(chǎn)品性能、*的技術(shù)優(yōu)勢建立了良好的合作信譽(yù),我們也熱誠歡迎潛在的客戶來我司考察,參觀及技術(shù)交流!

功能指標(biāo)

測量參數(shù)

技術(shù)條件

開啟柵電荷QgOn

Id=1 to 100Amps

存儲電荷Qgs

Vdd=5 to 95v

平臺電荷Qgd

Vg=+/-1 to+/-19V

平臺電壓PlateauVoltage

Ig=0.1 to 10ma

Id@threshold=100 to 1000ua

導(dǎo)通電阻RdsOn

Qg=0.5 to 500nc

柵電阻Rg

Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms

閾值電壓GateThresholdVotage

Gate/Drainwaveform

Capture/storage

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