功率器件IGBT,MOS測試綜合圖示系統概述
系統在失效分析,IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應用。系統生成的曲線都使用ATE系統逐點建立,保證了數據的準確可靠。系統典型的測試時間是6 to 20ms,通常上百個數據點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現出來,數據捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究,是一款高效多功能的半導體測試設備。
本系統使用方便,只需要通過USB或者RS232與電腦連接,通過電腦中友好的人機界面操作,即可完成測試。并可以實現測試數據以EXCEL和WORD的格式保存。系統提供過電保護功能,門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設備狀態和測試結果提供了可靠地保證。
功率器件IGBT,MOS測試綜合圖示系統測試范圍
二極管DIODE,晶體管(NPN型/PNP型),J型場效應管J-FET,MOS場效應管 MOS-FET雙向可控硅TRIAC,可控硅SCR,絕緣柵雙*功率晶體管IGBT,硅觸發可控硅STS
達林頓陣列DARLINTON,光電耦合OPTO-COUPLER,繼電器RELAY,穩壓、齊納二極管ZENER三端穩壓器REGULATOR,光電開關OPTO-SWITCH,光電邏輯OPTO-LOGIC,金屬氧化物壓變電阻MOV,固態過壓保護器SSOVP,壓變電阻VARISTOR,雙向觸發二極管DIAC