ON Semiconductor IGBT特點

• 在IGBT 1200V的高速應用中，ON Semiconductor的IGBT相比其他同類競爭對手擁有性能。其IGBT可以做到飽和壓降溫漂小，內部的二極管開關速度快，開關損耗小，從而可以極大地減小自身發熱和提升系統的工作效率。
• ON Semiconductor可提供IGBT+SiC的復合產品。這種類型的產品可以極大的提升系統的工作效率，尤其適用于HPPC（High Performance Power Conversion）的應用場合。
• ON Semiconductor的IGBT已經應用于汽車，太陽能逆變器，UPS，交流電機，高溫焊接，電池感應加熱等多方面應用。