應用領域
磁濺射鍍膜機是一種普適鍍膜機,用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系。
可鍍各種硬質膜、金屬膜、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質復合膜和其他化學反應膜,亦可鍍鐵磁材料。
主要用于實驗室制備有機光電器件的金屬電極及介電層,以及制備用于生長納米材料的催化劑薄膜層。
該設備用于制備導電薄膜、光波導薄膜、光學薄膜等。廣泛應用于大專院校、科研機構。
技術參數
1.極限真空壓力:5×10-5Pa;
2.靶直徑(mm): Φ50軸向移動20;
3.靶單位面積功率:(W/cm2)15~20;
4.靶電源功率(W):DC1000W—RF500W;
5.基片加熱溫度:0~500℃可控;
6.恢復真空抽氣時間(分):從大氣至5×10-4Pa<20;
7.靶功率(W):600;
8.基片沉積率(nm/s)(AL):3;
9.氣體流量:0~300SLM。