超高頻E系列高隔離8口RFID模塊簡介
7189HIIS/5189HIIS/3189HIIS是高性能的嵌入式UHF超高頻電子標簽讀寫模塊，wan全自主知識產權設計，結合專有的高效碰撞處理算法，在保持高識讀率的同時，實現對電子標簽的快速讀寫處理，可廣泛應用于物流、個人身份識別、會議簽到系統、門禁系統、防偽系統及生產過程控制等多種無線射頻識別（RFID）系統。
超高頻E系列高隔離8口RFID模塊特點
lwan全自主知識產權設計；
l分別基于IMPINJ E710/E510/E310芯片設計，充分支持符合18000-6C（EPC C1G2）協議標準的電子標簽，優異的多標簽防碰撞功能；
l工作頻率860MHz~960MHz（可以按不同國家或地區要求調整）；
l以廣譜跳頻（FHSS）或定頻發射方式工作；
l輸出功率達至33dBm（可調）；
l讀取距離達至12M*（外接8dBi圓極化天線，標簽E41）；
l標簽詢查速度*達至1000張/秒（使用E710）或600張/秒（使用E510）或350張/秒（使用E310）；
l標簽緩存區 1000張標簽 @ 96bit EPC；
l低功耗設計，+4.5V ~ +5.5V供電；
l8路SMA天線接口；
l支持RSSI；
l特制高隔離方案，各天線端口之間隔離度可達75dB
l4路GPIO接口（2輸入2輸出）；
l支持RS232串行通訊接口（3.3V TTL電平）；
l穩定性高，外置散熱片空氣冷卻散熱；
l支持Firmware在線升級；
* 有效讀取距離和標簽詢查速度與天線，電子標簽及工作環境等直接相關。
電特性
l極限參數
項目 | 符號 | 數值 | 單位 |
電源電壓 | VCC | 6 | V |
工作溫度 | TOPR | -20 ~ +65 | ℃ |
貯藏溫度 | TSTR | -40 ~ +85 | ℃ |
l規格
除特別說明，所示規格取自TA＝25℃及VCC＝+5.0V工作條件下
項目 | 符號 | 最小 | 典型 | 大 | 單位 |
電源電壓 | VCC | 4.5 | 5 | 5.5 | V |
工作電流 | IC | 410 | 100（待機） | 1300（30dBm） 1650（33dBm） | mA |
工作頻率 | FREQ | - | 865~868（ETSI） 902~928（FCC） | - | MHz |
射頻端口輸出功率 | PRF | 5 | 33 | dBm | |
接收靈敏度 | SR | -74（使用E310） -81（使用E510） -87（使用E710） | dBm | ||
各端口之間隔離度 | IBP | 75 | dB |
接口
序號 | 焊盤序號 | 符號 | 描述 |
1 | 2 | GND | 地 |
2 | 2 | GND | 地 |
3 | 1 | VCC | 電源 |
4 | 1 | VCC | 電源 |
5 | 3 | EN | 使能端，高電平有效 （可選擇內容10k電阻上拉至VCC） |
6 | 4 | Reserved | 保留 |
7 | Reserved | 保留 | |
8 | Reserved | 保留 | |
9 | 5 | RXD | 串行通訊數據輸入端（3.3VTTL電平） |
10 | 6 | TXD | 串行通訊數據輸出端（3.3VTTL電平） |
11 | Reserved | 保留 | |
12 | Reserved | 保留 |
機械特性（單位：mm）
應用資料
1. 用戶使用該產品進行讀寫器設計時，必須充分考慮良好的散熱設計，應使模塊需散熱位置和讀寫器底板充分接觸，并在接觸面涂抹導熱脂以降低熱阻；
2. 其他通訊協議資料詳見該產品用戶手冊。
