SC2010半導體分立器件測試系統
1.1 系統概述
SC2010半導體分立器件測試系統是一款非常具有代表性的新型半導體晶體管參數測試圖示系統，是美國STI5000系列測試機的國產替代機型，本系統可自動生成功率器件的 I-V 曲線，也可根據客戶的實際需求設置功能測試，直接讀取數顯結果。系統在失效分析， IQC 來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應 用。系統生成的曲線都使用 ATE 系統逐點建立，保證了數據的準確可靠。系統典型的測試時間是 6 to 20ms,通常上百 個數據點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現出來，數據捕獲的曲線可導入 EXCEL 等格式進一步分析研究，是一款高效多功能的半導體測試設備。
本系統使用方便，只需要通過 USB 或者 RS232 與電腦連接，通過電腦中友好的人機界面操作，即可完成測試。并可以實現測試數據以 EXCEL 和 WORD 的格式保存。系統提供過電保護功能，門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測 試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設備狀態和測試結果提供了可靠地保證。
1.2 系統指標
測 試 電 壓： ≤2KV
測 試 電 流： ≤100A
電壓分辨率： 1mV
電流分辨率： 0.1nA
測 試 精 度： 0.2%+2LSB
測 試 速 度： 約0.5ms/參數
測 試 方 式： 程控脈沖式
脈 沖 寬 度： 300us至5ms
規 格 尺 寸： 570*450*280mm
1.3 產品特點
測試范圍廣（19 大類，27 分類）
擴展性強，支持電壓電流階梯式升級至 2000V,1250A
被測器件接觸不良時系統自動停止，保證被測器件不受損壞
動態跨導測試精準（主流的直流法測得，其結果與實際值偏差很大）
系統故障在線判斷定位設計，便于應急處理排障
二極管極性自動判別功能，無需人工操作
IV 曲線顯示 / 局部放大
程序保護電流 / 電壓以防損壞
品種繁多的曲線
可編程延遲時間可減少器件發熱
曲線和數據直接導入到 EXCEL
1.4 測試能力
SC2010測試系統是專為測試半導體分立器件而研發設計。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，能夠真實 準確測試以下類型的半導體器件以及相關器件組成的組合器件、器件陣列：
序號 | 測試器件類別 | 測試參數列表 |
1 | 二極管 DIODE | IR；BVR ；VF |
2 | 晶體管 TRANSISTOR | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEV ； IEBO ；BVCEO ；BVCBO ；BVEBO； HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
3 | J 型場效應管 J-FET | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF |
4 | 場效應管 MOS-FET | IDSS ；IDSV；IGSSF； IGSSR ；VGSF ；VGSR ；BVDSS ；VGSTH ；VDSON、 VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS |
5 | 雙向可控硅 TRIAC | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- |
6 | 可控硅 SCR | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH |
7 | 絕緣柵雙極型晶體管 IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS |
8 | 硅觸發可控硅 STS | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- |
9 | 達林頓陣列 DARLINTON | ICBO ； ICEO ； ICER ； ICES ； ICEX ； IEBO ； BVCEO ； BVCER ； BVCEE ； BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON |
10 | 光電耦合器 OPTO-COUPLER | ICOFF 、 ICBO ； IR ； BVCEO ； BVECO ； BVCBO ； BVEBO ； ； CTR ； HFE ； VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) |
11 | 繼電器 RELAY | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME |
12 | 穩壓、齊納二極管 ZENER | IR；BVZ；VF；ZZ |
13 | 三端穩壓器 REGULATOR | Vout；Iin； |
14 | 光電開關 OPTO-SWITCH | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF |
15 | 光電邏輯 OPTO-LOGIC | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF |
16 | 金屬氧化物壓變電阻 MOV | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； |
17 | 固態過壓保護器 SSOVP | ID+ ID- ；VCLAMP+, VCLAMP- ；VT+ 、VT- ； IH+ 、 IH- ； ； IBO+ IBO-； VBO+ VBO-；VZ+ VZ- |
18 | 壓變電阻 VARISTOR | ID+； ID-；VC+ ；VC- |
19 | 雙向觸發二極管 DIAC | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, |
1.5 曲線列舉（部分）
MOSFET曲線
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
TRANSISTOR曲線
HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V）vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）vs. IC
VBE（SAT）vs. IC
VBE（ON）vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF
1.6 應用領域
分立器件設計廠家、封裝廠器件測試、電子產品廠家來料檢驗、實驗室選型配對、設備維修分析、高校器件教學、研究所器件設計等等。
