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鈮酸鋰Q開關

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱北京飛凱曼科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號LiNb
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質代理商
  • 更新時間2017/6/16 7:54:33
  • 訪問次數699
產品標簽:

鈮酸鋰Q開關

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北京飛凱曼科技有限公司為多家國內外高科技儀器廠家在中國地區*代理。飛凱曼科技公司一貫秉承『誠信』、『品質』、『服務』、『創新』的企業文化,為廣大中國用戶提供*的儀器、設備,Z周到的技術、服務和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發展的中國,光電技術、材料科學、半導體薄膜薄膜生長和加工技術、表面材料物性分析、生物藥物開發、有機高分子合成等等領域,都需要與歐美發達國家*接軌的儀器設備平臺來實現。飛凱曼科技公司有幸成長在這個科技創造未來的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。
 

主要產品:
1. 晶圓探針臺、平板式樣品探針臺、Mini腔探針臺、四探針臺、環境可控型四探針臺、高低溫(變溫)探針臺、霍爾效應測試儀、變溫霍爾效應測試儀、塞貝克效應測試儀
2. 在線表面缺陷檢測系統、片狀物在線表面缺陷檢測系統、片狀物離線表面缺陷檢測系統、智能型視頻表面檢測系統、自動化印刷檢測系統
3. 日本AET公司微波介電常數測試儀
4. 在線粘度計、便攜式在線粘度計、高溫粘度計
5. 高純鍍膜材料:混合晶體膜料、高純晶體膜料Ti3O5

6.DPSS、近紅外激光汽、綠光激光器、藍光激光器、紫外光激光器、半導體激光器、波長穩定的半導體激光器、單頻半導體激光器、光纖耦合半導體激光器、光纖激光器、波長可調諧單頻激光器、激光諧振腔設計軟件

7 體全息光柵(VHG)、脈沖展寬器、脈沖壓縮器、脈沖抑制器、陷波濾波器、ASE抑制濾波器、合束器、多線濾波器、相位掩模版、VHG-FAC、激光穩頻元件、氟化鈣(CaF2)晶體、Er:YAG晶體、Nd:YAG晶體、Yb:YAG晶體、Ho:YAG晶體、Tm:YAG晶體、鈮酸鋰晶體(LibO3)、摻鉺玻璃、磁旋光玻璃

8.真空鍍膜和加工系統,包括:PECVD、LPCVD、磁控濺射沉積系統、熱阻蒸發鍍膜系統、電子束蒸發鍍膜系統、離子束濺射鍍膜系統、反應離子刻蝕系統、離子束刻蝕系統

9.日本UNIOPT公司雙折射測量系統、光彈性模量測試系統、應力測試系統、磁光克爾效應(MOKE)測試儀

10.日本APCO公司精密自動劃片機、貼膜機、清洗機、揭膜機

11.研磨拋光機

霍爾效應測試儀,變溫霍爾效應測試儀,單頻激光器,雙折射測量系統,精密劃片機,自動劃片機,半自動劃片機,激光諧振腔設計軟件,塞貝克效應測試儀、光彈性模量測試儀、YAG晶體、氟化鈣晶體、鉺玻璃,磁旋光玻璃
北京飛凱曼公司提供鈮酸鋰Q開關。光學級鈮酸鋰(LN)晶體擁有較好的電光性能,非線性系數大,光學均勻性好,機械及化學性能穩定,不潮解等優點。用LN制作橫向調制電光Q開關,具有半波電壓低,重復頻率高,常被應用于Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Nd:YAG等作為工作物質的激光器中,尤其在激光測距領域發揮著重要的作用。
鈮酸鋰Q開關 產品信息

北京飛凱曼公司提供鈮酸鋰Q開關。光學級鈮酸鋰(LN)晶體擁有較好的電光性能,非線性系數大,光學均勻性好,機械及化學性能穩定,不潮解等優點。用LN制作橫向調制電光Q開關,具有半波電壓低,重復頻率高,常被應用于Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Nd:YAG等作為工作物質的激光器中,尤其在激光測距領域發揮著重要的作用。

在激光器中安裝LN晶體時,由于LN Q開關元件性能對于角度非常敏感,必須采用一定封裝結構加以可靠固定,以滿足激光器光路調節、抗沖擊和引出電極的需要。電光晶體的工作電壓一般在幾千伏左右。采用傳統的安裝方法,LN晶體直接與電極連接,在外接電極與晶體之間需要加一定壓力以便實現良好的電接觸。由于外接電極與晶體間的接觸近似為剛性接觸,所以安裝時如果晶體上產生的夾持應力過大,會在LN晶體內部產生較大的應力雙折射,導致電光開關工作性能下降,而且晶體甚至有被壓碎的可能。另外,由于電光晶體工作電壓在幾千伏左右,如果絕緣不好,將產生漏電現象,造成電光開關無法使用,甚至危害其它設備。

本公司深入分析LN的特性,推出緊湊型、低裝配應力LN Q開關。

一、產品特點:

1.采用鈦合金和環氧酚醛樹脂實現金屬電極一體化封裝,負極為安裝基座,使用調節方便快捷;

2.體積緊湊,適于激光器的小型化;

3.直接安裝于激光器內,不需要其他安裝模具如電極板等配件,*消除了安裝應力,確保激光器*工作穩定可靠。

二、性能

晶體尺寸

7*7*28

光學孔徑

7*7mm2

有效通光孔徑

6*6mm2

定軸精度

3

平面度

λ/8@ 633nm

透過畸變

λ/4@ 633nm

平行度

 20

光潔度

2

鍍膜

1064nm增透膜,整體透過率T>98 %

半波電壓

2500V   λ/2   @1064nm

損傷閾值

150 MW/cm2  1064nm 10ns 10Hz

插入損耗

3%

消光比

 200:1  @633nm

電容:

 5pF

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