北京冠遠(yuǎn)科技有限公司聯(lián)合瓷器檢測(cè)鑒定機(jī)構(gòu)原香港中文大學(xué)古陶瓷熱釋光實(shí)驗(yàn)室即中科研發(fā)公司合作，承接出售熱釋光檢測(cè)儀。

釋光測(cè)年儀 丹麥 DA20 C/D這種現(xiàn)象是一次性的，也就是固體在受輻射作用后，只有次被加熱時(shí)才會(huì)有光被釋放出來。在以后的加熱過程中，除非重新再接受輻射作用，否則將不會(huì)有發(fā)光現(xiàn)象。自然環(huán)境中存在天然放射性元素，所以處于自然環(huán)境中的晶體（缺陷晶體）一般都接受天然輻射作用而存在釋光現(xiàn)象。 對(duì)于陶瓷來講，其中含有大量的礦物晶體，如石英、長(zhǎng)石和方解石等，這些晶體*受到核輻射（如α、β和γ）的作用，積累了相當(dāng)?shù)哪芰浚虼巳舭烟沾杉訜幔瑢⒖捎^察熱釋光現(xiàn)象，熱釋光的強(qiáng)度與它所接受的核輻照的多少成正比。由于陶瓷所受的核輻射是來自于自然環(huán)境和陶瓷本身所含的微少的放射性雜質(zhì)（如鈾、釷和鉀40等）。其放射性劑量相對(duì)恒定，因此熱釋光的強(qiáng)度便和受輻時(shí)間的長(zhǎng)短成正比。在陶瓷的燒制過程中原始的熱釋光能量都會(huì)因高溫而全部釋放掉，就象是把[TL時(shí)鐘]重新拔至零點(diǎn)。此后陶瓷重新積累TL信號(hào)，所以后所測(cè)量得到的TL信號(hào)，是與陶瓷的燒制年代成正比，這就是熱釋光斷代的基本原理。 熱釋光( thermoluminescence，簡(jiǎn)稱TL )是指深陷阱中的電子由于熱激活而釋放到導(dǎo)帶，從而發(fā)生復(fù)合發(fā)光的現(xiàn)象。20世紀(jì)50年代，美國(guó)W isconsin大學(xué)的Daniels將材料的熱釋光特性用于輻射劑量的測(cè)量。 初使用的氟化鋰熱釋光材料具有很高的靈敏度,但是其熱釋光性能不穩(wěn)定。 后來，研究人員相繼開發(fā)了具有更優(yōu)異熱釋光性能的L iF：Mg，Ti 和LiF：Mg， Cu， P ，目前氟化鋰系列材料仍是熱釋光劑量學(xué)上應(yīng)用廣泛的材料。隨著科研和生活的需要,對(duì)熱釋光劑量學(xué)材料的要求(如較寬的線性劑量響應(yīng)范圍、高靈敏度、重復(fù)使用性好等)逐漸提高，研究人員又開發(fā)了CaSO4：Mn，CaF2 ：Mn，Li2B4O7 ：Cu，MgSiO4 等新型熱釋光材料。

 為什么“熱釋光”是瓷器的鑒定檢測(cè) ？ 瓷器熱釋光檢測(cè)鑒定技術(shù)乃一門高科技技術(shù)，已經(jīng)為世界拍賣公司和世界各大博物館所認(rèn)同接受，在歐美更可以作為*認(rèn)可的斷代證據(jù)。但在國(guó)內(nèi)一般的收藏家們對(duì)熱釋光技術(shù)還缺少了解，對(duì)它的科學(xué)原理和實(shí)際應(yīng)用還不太熟悉。為此我們對(duì)熱釋光技術(shù)做一些通俗的解釋。 簡(jiǎn)單講，古陶瓷在它被燒成之日起，便不斷地吸收和累積外界的輻射能量，這個(gè)能量和燒成后的時(shí)間長(zhǎng)短有關(guān)。“熱釋光”方法就是通過測(cè)量這件古陶瓷內(nèi)累積的輻射能，從而確定燒成時(shí)間的長(zhǎng)短，達(dá)到斷代的目的。由于該器件的時(shí)間信息*儲(chǔ)存在它本身中，因此只需在該器件上取樣檢測(cè)即可斷代，而不必與該窯址的出土樣品數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，所以這是一種斷代方法，是很準(zhǔn)確可靠的。（冠華科技支持）

丹麥Risø熱釋光/光釋光測(cè)年儀

簡(jiǎn)介

丹麥Risø熱釋光/光釋光測(cè)年儀

丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測(cè)定系統(tǒng)是Risø國(guó)家實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)生產(chǎn)的，是一代的熒光讀出系統(tǒng)，即能測(cè)量熱釋光又能測(cè)量光釋光。

丹麥Risø熱釋光/光釋光測(cè)年儀 

丹麥Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測(cè)定系統(tǒng)是Risø國(guó)家實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)生產(chǎn)的，是一代的熒光讀出系統(tǒng)，即能測(cè)量熱釋光又能測(cè)量光釋光。Risø DA20 C/D熱釋光/光釋光考古和地質(zhì)年代測(cè)定系統(tǒng)包括：光探測(cè)系統(tǒng)、熱釋光系統(tǒng)、光釋光系統(tǒng)，輻照系統(tǒng)等子系統(tǒng)組成。北京冠遠(yuǎn)科技有限公司為中國(guó)總代理
（1）特點(diǎn)
全自動(dòng)可編程電腦控制；
同時(shí)測(cè)量48個(gè)樣品；
加熱溫度可在室溫-700℃之間調(diào)節(jié)；
可進(jìn)行樣品的紅外釋光（IRSL）、藍(lán)光釋光(BLSL)和熱釋光(TL)測(cè)量；
光激發(fā)有線性調(diào)制OSL模式和脈沖OSL模式；
單個(gè)樣品可被α和β放射源(90Sr/90Y和 241Am)或小型的X-射線發(fā)生器照射。

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（2）光探測(cè)系統(tǒng)
光探測(cè)系統(tǒng)測(cè)量發(fā)出的熒光，光探測(cè)系統(tǒng)包括一個(gè)光電倍增管和相配的濾光片。樣品室  可編程，進(jìn)行熱釋光測(cè)量時(shí)可抽真空，計(jì)算機(jī)控制氮?dú)廨斎耄辜訜岷蟮臉悠纺芸焖倮鋮s。
標(biāo)準(zhǔn)的Risø讀出器有配套的濾光片：
75mm Hoya U-340
2mm Schott BG 39
4mm Corning 7-59

丹麥Risø熱釋光/光釋光測(cè)年儀
（3）熱釋光系統(tǒng)
利用位于PMT下的加熱元件就可進(jìn)行熱激發(fā)。加熱元件有兩個(gè)功能：1）加熱樣品 2）把樣品提升到測(cè)量位置。
樣品加熱到700°C，升溫速率可在0.1-10 K/s.之間選擇。氮?dú)饬骼鋮s電熱絲，防止加熱系統(tǒng)在高溫情況下被氧化。
（4）光釋光系統(tǒng)
使用發(fā)光二極管陣列進(jìn)行光激發(fā)，包括CW和LM-OSL激發(fā)。發(fā)光二極管陣列配有光反饋服務(wù)系統(tǒng)來確保激發(fā)功率的穩(wěn)定。二極管和樣品之間的距離大約為20mm。標(biāo)準(zhǔn)Risø TL/OSL讀出器裝有兩個(gè)光激發(fā)源：
紅外光源(波長(zhǎng)870nm)zui高激發(fā)能量可達(dá)140mW/cm2或者更高,并能在zui大值的0-*之間任意調(diào)整；
藍(lán)光光源(波長(zhǎng)470nm)zui高激發(fā)能量不小于50mW/cm2。
（5）輻照系統(tǒng)
系統(tǒng)有三種輻照方式：β，α和X射線輻照。用軟件來控制輻射類型，并允許單個(gè)輻射。
β輻射
Beta輻照器可拆分開，通常配有1.48 GBq (40 mCi) 90Sr/90Y β源，能發(fā)射zui大能量為2.27Mev的β粒子。在樣品位置的石英劑量率大約為0.1 Gy/s。源和樣品之間的距離為5mm，在輻照器和測(cè)量室之間有一個(gè)0.125mm的鈹窗，并充當(dāng)一個(gè)真空接口。
α輻射
α輻照器通常都配有一個(gè)10.7 MBq (290 mCi) 241Am源，是一個(gè)混合α/γ輻射體。α能量為5.49 MeV (85.1%)，主要的γ能量為59keV。源通過氣驅(qū)動(dòng)快門控制。在樣品位置的石英劑量率大約為45 mGy/s. γ輻照器和系統(tǒng)蓋和密封軸結(jié)合在儀器阻止在X射線輸出穩(wěn)定之前樣品輻射。
X射線輻射
X射線燈絲型輻照器的的X射線：Varian VF-50J X-γ射線管 (50 kV, 1 mA, 50 W).動(dòng)態(tài)劑量率范圍（50mm Al過濾）：當(dāng)安裝在標(biāo)準(zhǔn)的OSL/TL讀出器上時(shí)，10 mGy/s - 2 Gy/s。
（6）應(yīng)用領(lǐng)域
考古和地質(zhì)年代測(cè)定；
已發(fā)事故劑量測(cè)量；
輻射食品檢測(cè)；
熒光研究。
（7）技術(shù)參數(shù)
TL：可從室溫加熱到700℃，升溫率可在0.1 K/s -10 K/s之間編程調(diào)節(jié)。恒溫TL可在任何固定溫度下操作。
OSL：
藍(lán)色LED（波長(zhǎng)470nm）激發(fā)：50 mW/cm2；
紅外LED（波長(zhǎng)870nm）激發(fā)：145 mW/cm2；
可在任何溫度下調(diào)控。
輻射源選擇：
β(90Sr/90Y)陶瓷源 (1.48 GBq)劑量率（石英）： 0.1 Gy/s；
α(241Am)源(10.7 MBq)劑量率（石英）：45 mGy/s；
X射線發(fā)生器(50 kV, 1 mA)動(dòng)態(tài)劑量率（石英）：10 mGy/s-2 Gy/s。
單顆粒OSL：
聚焦綠色激光激發(fā)(532nm)：50 W/cm2；
可選擇：IR激光激發(fā) (830 nm)：~ 500 W/cm2；
電源： 100-240 V 50/60 Hz (120 W)。

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