直流濺射等離子體實驗裝置（設(shè)計性、綜合性實驗）裝置包括可拆卸的濺射腔體、濺射靶臺、真空抽氣系統(tǒng)、測量系統(tǒng)、進氣系統(tǒng)等部分組成。本裝置采用同軸二極濺射結(jié)構(gòu)，在真空室內(nèi)以沉積材料為陰極，加工樣品為陽極，工作期間兩極間加直流電壓引起放電，放電氣體中的離子被加速轟擊靶面，濺射粒子沉積在基片表面成膜。

詳細介紹

可開設(shè)的實驗1、光學(xué)薄膜材料的制備及其光學(xué)特性的測量；2、金屬薄膜的制備實驗；3、理解直流濺射原理，掌握直流濺射薄膜材料的工藝方法。

主要技術(shù)特點1、濺射靶臺和濺射靶距離可調(diào)節(jié)，研究在不同距離時對薄膜濺射的影響；2、濺射基片可進行加熱，加熱溫度可控，研究基片溫度對薄膜濺射的影響；3、濺射氣壓、濺射氣源流量可調(diào)節(jié)，研究不同氣壓、氣源流量對薄膜濺射的影響；4、反應(yīng)腔體采用石英玻璃管，可直觀地觀察到濺射現(xiàn)象；5、工作氣體可調(diào)節(jié)更換，并可多路氣體混合工作。

主要技術(shù)參數(shù)1、濺射腔體外形尺寸：DHPS- 1：Ф140mm×150mm；；2、濺射靶臺：DHPS-1：Ф70×20mm；可同時放6個樣品；3、DHPS-1：基片加熱溫度可控范圍：室溫～80℃；4、濺射氣壓可調(diào)范圍：10～200 Pa；5、濺射電壓：0～1500V連續(xù)可調(diào)，濺射電流：0～200mA可調(diào)；6、氣源流量可控范圍：6～60ml/min；25～250 ml/min；7、供電電源: AC 220V，50 Hz。

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