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深圳市唐正電子有限公司
黑體與探測器樣品距離:200mm
放大電路增益:72.5的dB
型號Type | PIR600B-P |
封裝Encapsulation | TO-5 |
靈敏元面積Element Size/Type | 2.0mm ×1.1mm ×Gap 0.9mm Dual,雙元 |
基片材料Window Material | 硅 Si |
基片厚度Window Thickness | 0.5mm |
窗口尺寸Window Size | 4*3mm |
工作波長Pass Band | 5.5-14μm (www.nisaila.com) |
平均透過率Transmittance | >75% |
輸出信號Signal [Vp-p] | >≥ 3 Vp-p |
環境溫度 25ºC 黑體溫度 420K( 147?C ) 調制頻率 1赫茲 放大倍數 72.5 dB(運算放大器5000倍) Vd= 5V,Rs=47KΩ | |
靈敏度Sensitivity | 3300V/W |
探測率(D)Detectivity | 1.5×108 cmHz1/2/W |
噪聲Noise(Vp-p) | <170mVp-p Max.(Typ. 100mVp-p) |
環境溫度 25ºC 放大倍數 72.5 dB(運算放大器5000倍) Vd= 5V,Rs=47KΩ | |
平衡度Balance | <15% |
工作電壓Operating Voltage | 2.2-15V |
工作電流Operating Current | 8.5-24μA |
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
源極電壓Source Voltage | 0.4-1.1V |
(VD=5V,Rs=47kΩ,25℃) | |
工作溫度Operating Temperature | -30℃- +70℃ |
保存溫度Storage Temperature | -35℃- +80℃ |
響應時間 | 加電后信號穩定輸出所需時間 <15S |
[*] 平衡度 = VAB/|VA+VB| ×* VAB=雙元的靈敏度 (mVp-p) VA = A單元的靈敏度 ( mVp-p ) 測試方法參見圖2及3。 | |
視場Field of View | X:140°Y:130°參見圖:4及5 |
可靠性評價
測試項目 | 測試條件 | 測試儀器 | 測試標準 |
高溫工作 | 70℃ 72小時 | 調溫箱 | 測試之后,傳感器在自然環境中放置3小時后測電性能。 1.外觀無明顯變化 2.電性能參數變化在20%以內
|
耐濕性 | 60℃,95%RH,72小時 | 調溫調濕箱 | |
低溫存儲 | -40℃ 72小時 | 調溫箱 | |
高溫存儲 | 70℃ 72小時 | 調溫箱 | |
熱沖擊 | -40℃,1小時→室溫,1小時→70℃,1小時 10個循環 | 調溫箱 | |
自然老化 | 室外,30天 | 測試樣機 | |
耐焊性 | 260±5℃,10s 浸入深度3.0mm | 焊錫爐 | |
密封 | 133.3帕,1分鐘 | 真空泵 | 無氣泡產生 |
圖1 探測器外形尺寸示意圖
黑體與探測器樣品距離:200mm
放大電路增益:72.5的dB
圖2 測試機示意圖
VA\VB測定用 VAB測定用 噪聲測定用
圖3 探測器測定方法示意圖
Tx 輸出延遲時間大約值
C6=1000p | C6=0.01u | ||||
R10 | FTX | Tx | R10 | FTX | Tx |
1M | 1.8KHz | 27.4秒 | 100K | 1.8KHz | 27.4秒 |
100K | 16.9KHz | 2.94秒 | 10K | 12.7KHz | 3.86秒 |
10K | 116KHz | 0.41秒 | 1K | 48.4KHz | 1.5秒 |
Ti 輸出封鎖時間大約值
R9 | C7 | FTi | Ti |
1M | 0.01u | 189Hz | 0.48秒 |
1M | 0.1u | 15.8Hz | 3.1秒 |
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