美國EOS檢測器組件

EOS于1991年在加利福尼亞成立，由電力電子領(lǐng)域的幾個者成立。EOS是一家具有交匙設(shè)計，制造，銷售和支持運營的產(chǎn)品公司。該公司是電源制造商和出口商，并為其客戶提供完整的VAM，ODM和支持和維修服務(wù)。EOS品牌的電源已經(jīng)向客戶銷售了超過4000萬臺。EOS POWER現(xiàn)在已成為許多醫(yī)療，工業(yè)和質(zhì)量意識客戶的電源合作伙伴。

EOS檢測器組件產(chǎn)品線由各種不同起始材料的光電二極管和光電導(dǎo)體組成，可從業(yè)內(nèi)一個來源中進行廣泛的選擇。EOS在大多數(shù)探測器類型中提供幾種標準尺寸，并為非標準要求提供定制設(shè)計服務(wù)。如果您的應(yīng)用需要 ，請咨詢工廠。

產(chǎn)品通常可以分為三個波長區(qū)域，再加上一個特殊類別，其中包括位置傳感器，2色檢測器和象限。

UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，鍺和硅光電二極管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。

近紅外 包括InAs和InSb光電二極管，以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導(dǎo)體。

LWIR  包括HgCdTe光電導(dǎo)體以及的熱釋電和熱電堆檢測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。

產(chǎn)品范圍：紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測器,近紅外位置傳感器,2色檢測器

紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米

此類別中的組件是硅，鍺，InGaAs，InGaAs擴展型和光電二極管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。這些檢測器在室溫下或與TE-Cooler一起運行，并以各種TO型包裝提供。提供幾種標準直徑以及特殊設(shè)備，例如Si和InGaAs象限，2色檢測器，多元素檢測器和PSD。

近紅外-MWIR 1.0-5.5微米

此類探測器包括InAs和InSb光電二極管以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導(dǎo)體。根據(jù)靈敏度要求，使用室溫，TE冷卻和低溫封裝。提供各種標準尺寸和定制尺寸。 

LWIR2-40微米

此類探測器包括HgCdTe光電導(dǎo)體以及的熱釋電和熱電堆探測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。提供各種標準尺寸和自定義幾何形狀。

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