防腐碳化硅涂料價格
碳化硅基本特性
碳化硅具有α和β兩種晶型。β-碳化硅的晶型結構是立體晶系,硅和碳分別組成面心立體晶格,碳化硅的原子間距為0.1888nm,α-碳化硅存在著4H、15R和6H等100余種多型體,其中,6H多型體在工業上工業上應用廣泛。在6H碳化硅中,硅與碳交替成層狀堆積,硅層間或碳層間的距離為0.25nm,碳化硅的原子間距約為0.19nm。


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在碳化硅的兩種晶型之間存在一定的熱穩定性關系。溫度低于1600℃時,碳化硅以β-碳化硅存在;溫度高于1600℃時,β碳化硅通過再結晶緩慢轉變成α碳化硅的各種型體(4H、6H、15R等)。4H碳化硅在2000℃左右容易生成;而15R和6H多型體均需在2100℃以上才能生成,但15R的熱穩定性比6H多型體差,對于6H碳化硅,即使溫度超過2200℃也非常穩定。

碳化硅的硬度高、彈性模量大,具有優良的耐磨損性能。純的碳化硅不會被氧化碳、氧化硅和氧化氟等酸溶液以及氧化鈉等堿溶液所侵蝕,但在空氣中加熱時會發生氧化反應。值得指出的是,在干燥的高溫環境中,溫度超過900℃時,碳化硅表面會生成一種致密的、緩慢生長的二氧化硅膜,這層膜抑制了氧的進一步擴散,使其具有優異的抗氧化性能。在電性能方面,碳化硅是第三代半導體材料的核心之一,具有很多優點,如帶隙寬、熱導率高、電子飽和漂移速率大、化學穩定性好等,非常適于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器擁。此外碳化硅還具有優良的導熱性和吸波特性。
