ULS32導波雷達物位計發出的高頻微波脈沖沿著探測組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測介質，由于介電常數突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發射脈沖與反射脈沖的時間間隔與被測介質的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質，當上面一層的介質介電常數較小，而下面的介質介電常數較大時，高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時，由于其介電常數較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質繼續向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質的介電常數較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而ULS32導波雷達物位計是可以測量兩種不同介質的介面，其測量條件是上層介質不導電或其介電常數比下層介質介電常數小10以上。
產品特點
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術，導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式，使得ULS3X系列導波雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如：高溫、高壓及小介電常數介質等。
采用脈沖工作方式，導波雷達物位計發射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內，對人體及環境均無傷害。
技術參數
特 征： 全四氟密封天線，耐強酸堿腐蝕。
應 用： 量程較短的酸堿罐體。
zui大量程： 6m
測量精度： ±10mm
過程連接： PTFE法蘭
探測組件材料： PTFE
鋼棒直徑： Φ10mm
過程溫度： -40…150°C
過程壓力： -1.0…16bar
信號輸出： 兩線制 4…20mA/HART
選型標準
ULS32
許可證
P 標準型（非防爆）
I 本安型（Exia IIC T6）
C 本安型+船用許可證（Exia IIC T6）
G 本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）
探測組件型式/材料
A 棒式/PTFE
過程連接/材料
GP 法蘭 DN50 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
NP 法蘭 DN80 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
EP 法蘭 DN100 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
FP 法蘭 DN150 PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
YP 特殊制定
過程溫度
A （-40～150）℃
電子組件
B (4～20)mA/HART兩線制
C (4～20)mA/(22.8～26.4)V DC /HART兩線/四線制
D (198～242)V AC/HART四線制
外殼/防護等級（注）
A 鋁/IP67
B 塑料/IP66
D 鋁兩腔/IP67
G 不銹鋼316L/IP67
電纜進線
M M20x1.5
N ½NPT
現場顯示/編程
A 帶
X 不帶
纜（棒）長
4位數字（單位：mm）
注: 本安型（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“A”型外殼；本安+船用許可證（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“G”型外殼；本安+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）只限用“C”“D”電子組件及“D”型外殼；標配法蘭大小參照GB/T9119-2000 PN1.6MPa尺寸，厚度為15。
