半導體
避雷器是這樣工作的：
半導體放電管有兩種擊穿狀態，即鉗位和導通。他可以看成是有兩個反向并聯的可控硅（即4層PN結器件反并聯）組成，利用Si晶體內部的電子和空穴的輸運原理進行工作。圖2只滑出其中一個。其工作原理如下：
1、當被保護設備或線路處于正常工作狀態時（V≤VBR），PN結J1和J3處于正向偏置，J2處于反向偏置狀態，此時流過器件中的電流僅為PN結反向偏置的微弱漏電流（I≤10-8μA），器件上在特性曲線的OA段，如圖2（a）所示。
2、當線路上出現較低的過電壓時（VBR≤V≤VBO），PN結J2雪崩擊穿，器件的工作狀態進入了特性的AB段，處于鉗位狀態并開始釋放過電流，如圖2（b）所示。流過的器件的過電流經過P1區時，在該區的等效電阻造成的一定的電位差（壓降），由于金屬電極的短路作用，摻雜濃度高（即電阻率低）的N1區的電位與P1區的外緣相同，該電位差就成為PN結J1的偏置電壓。上述原理可用圖3的等效電路來表示，圖1種T1和T2分別為等效三極管N1P1N2和P1N2P2，R為P1區的等效電阻，也就是三極管T1的偏置電阻。此時三極管T2的作用可以等效為一個普通的二極管和一個反向的瞬態二極管串聯。
3、當線路上過電壓繼續上升達到到器件的VBO時，P1區的壓降達到門限電壓是控制硅N1P1N2P2被觸發導通，N1區的載流子（電子）在電場的作用下穿過厚度較薄的P1區直接進入N2區使得器件的等效電阻迅速下降并吸收大的過電流，從而起到保護作用。此時器件工作特性曲線的CD段，如圖2（c）所示。從等效電路上看，過電壓上升導致電阻R的壓降上升，就使T1的偏置電壓Vbe上升，T1導通，又使T2得到偏置，從而使整個器件進入導通狀態。
4、當外來過電壓消失時，回路電流逐漸減小，一直降到保持電流以下時，器件自動地退出導通狀態，再次轉入到正常工作的截止狀態。
由上述動作過程的分析可以得知，半導體放電管在較高能量的過電壓浪涌沖擊時，能夠使自身等效電阻降低并有效的釋放過電流，既能使被保護設備得到有效的保護，又能使自身不因功能耗過大而燒毀。
主要經營：
攝像機三合一等電位避雷器、視頻二合一等電位避雷器、有線電視傳輸網絡放大器防雷器、純電源防雷器、
光接收機防雷器、電腦交換機防雷器、同軸衛星信號防雷器、
視頻會議系統避雷器
