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定做顯示屏流程如下；
               *步：確定LED顯示屏安裝位置（戶外或者室內），測量大概尺寸（長度及高度）

                           第二步：確定顯示屏觀看距離，廠家*合適LED大屏型號。

                          第三步：廠家提供LED大屏幕設計/制作/安裝/報價方案

                          第四步：溝通協商后簽訂LED顯示屏訂購合同

                         第五步：廠家組織全彩顯示屏生產/老化/測試

                        第六步：生產完成，發貨（客戶可來廠家觀看成品效果）

                       第七步：廠家派遣*工程師上門知道安裝調試。

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       衢州市/商業街/車站/休閑廣場/文化廣場/戶外LED顯示屏安裝費用多少錢  隨著多媒體技術的發展，LED電子顯示屏廣泛應用于商業展示，產生良好的廣告效應，設計優秀的顯示屏支撐結構同時可成為城市建筑物中靚麗的風景線。結合顯示屏的視距要求以及投資地域等特點通常會根據建設地點及建筑物要求進行結構類型設計。LED顯示屏通常采用獨立落地形式或附屬建筑物進行設置（圖1，2）。針對不同顯示屏形式的支撐結構，應準確分析其受力特性選用相應的結構形式，本文將對LED電子顯示屏支撐結構進行分類總結，提出各種支撐結構方案適用的范圍、設計難點以及相應的優化設計方案和構造措施。
    落地式LED電子顯示屏多設置于城市廣場或重要交通交叉處。分析落地顯示屏支撐結構受力特性可知，支撐結構宜采用空間鋼桁架結構。在基礎上設置4根鋼柱組合形成空間格構柱。上部屏體部分采用多層水平空間桁架結構，既可滿足結構受力要求，又可滿足檢修通道的設置。
    城市建設密度較大，只有很少區域能夠滿足落地式顯示屏的建設條件。而LED電子顯示屏具有播放動態畫面廣告等優點，城市商業繁華地段需建設大量的LED顯示屏，解決該矛盾的方案就是建設附屬于已有建筑物的顯示屏。
    根據建筑物的建設條件、改造條件以及建筑物高度通常將附屬于建筑物的LED顯示屏支撐結構分為壁掛式顯示屏支撐結構和樓頂式顯示屏支撐結構。
壁掛式顯示屏支撐結構多采用單層鋼結構固定于主體結構側面，內部設置檢修通道。中國電信溫州分公司南站大樓LED大屏幕工程顯示屏24.0 mｘ 13.4m，屬于典型壁掛式顯示屏支撐結構，采用方鋼管160 mmｘ160 mmｘ6 mm形成節點體系，槽鋼14a上鋪設6 mm厚壓紋鋼板形成檢修通道，各節點通過6個M16錨栓錨固于主體結構框架柱側。該工程正立面及側立面見圖4。
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1.3樓頂式支撐結構
    實際使用中壁掛式LED電子顯示屏由于占據較大的建筑物外立面，將會影響到建筑物的采光，因而壁掛式電子顯示屏僅適用于商場等大型商業建筑。建筑高度適中的辦公建筑及民用住宅建筑設置的LED電子顯示屏只能設計在建筑物頂部。此時顯示屏支撐結構體系應歸類為樓頂顯示屏支撐結構。
    中國通信服務廣西公司顯示屏支撐結構設置于大樓頂部，充分利用原主體結構剪力墻設置鋼格構體系，梁柱均采用格構構件，形成具有良好受力狀態的空間桁架體系。顯示屏屏體有效尺寸17.5 mx8.0 m，鋼格構柱4根主肢采用100 mmｘ100 mmｘ5 mm，水平橫材采用100 mmｘ100 mmｘ5 mm、斜腹桿為口60mmｘ60 mmｘ5 mm，其中水平橫材與豎材各自組成桁架體系抵抗側向風荷載和地震荷載。節點通過10個M12螺栓錨固于主體結構。該工程正立面如圖5所示。
    2、荷載作用
    LED電子顯示屏采用落地式、壁掛式或樓頂式均需計算*荷載、活荷載、風荷載、雪荷載、裹冰荷載、地震荷載等荷載作用（1）。其中*荷載需計入屏幕自重荷載，活荷載需考慮屏體檢修涉及的檢修荷載。荷載組合系數應符合規范要求。
    壁掛式或樓頂式顯示屏其自振周期應結合主體結構進行整體分析，通常情況下可選用主體結構自振周期進行計算（2、3），并分析高振型對樓頂式支撐結構的影響（4）。風荷載的計算應按照圍護結構進行設計分析，對大型支撐結構應根據具體結構形式進行深入分析（5）。地震荷載的計算應綜合考慮雙向水平地震和豎向地震作用，對壁掛式支撐結構尤其要重視罕遇地震下豎向地震作用的影響分析。
    此外電子顯示屏內部設置有電子顯示單元，長時間的照明及其他設備的運作均會帶來過多的熱量，內部易出現散熱問題，支撐結構內部布置有大量的電力線路，線路老化等問題也易導致火災發生。顯示屏支撐結構在此類意外作用發生時應有足夠的抵抗能力，不致發生連續性倒塌破壞，需加強關鍵構件支撐節點的設計，提高安全儲備。
     
      3.1落地式支撐結構
    落地式電子顯示屏支撐結構通過與基礎連接的柱體承擔上部屏體結構的荷載，可按照懸臂梁結構進行分析計算。落地式支撐結構通常采用單柱或雙柱加橫梁式結構，其余類型可結合建筑造型選用合適的支撐結構體系。柱體設計可采用混凝土結構、鋼管結構以及格構鋼柱，橫梁可選用格構梁等鋼結構類型。其基礎選型應根據場地的地質條件確定，并應進行抗壓、抗拔、抗彎和抗傾覆計算。結合懸臂結構的受力特點，落地式支撐結構的關鍵構件為豎向柱體設計，選用安全合理符合工藝要求的截面形式。
    結合顯示屏支撐結構的建設周期等特點，選用圓形鋼柱和格構鋼柱截面進行分析，研究相同應力應變情況下鋼材的用量。采用有限元分析軟件建立模型，圓形鋼柱采用彩1000×15，格構鋼柱4根主肢采用300 mm×300mm×10mm，水平橫材采用200mmｘ100 mmｘ6mm、斜腹桿為100mｘ100 mm×6mm，根據懸臂結構受力特點，將上部屏體承受荷載簡化到柱體頂部，根據簡化后的模型對兩種柱體進行有限元分析。分析結果表明，對落地式支撐結構，圓柱式截面及格構式截面均為良好的截面形式。戶外電子顯示屏由于需維修電子顯示元件，因而需設置上人通道，采用格構式柱可充分利用格構空間設置上人通道，不會像圓截面一樣由于設置上人孔洞導致柱根部截面出現薄弱部位。當由于景觀需設置圓形截面時應對上人部位進行局部加固處理。當兩種截面類型均能滿足實用及外觀要求時，應優先采用格構柱。
    壁掛式支撐結構通過鋼節點錨固于主體結構物側部，通常可采用框架柱固定節點，當節點間距不能滿足要求時，可采用框架梁作為輔助支點設計位置。橫梁構件固定于支撐點上形成水平向片狀結構體系，該體系承擔顯示屏傳來的風荷載并作為檢修通道承擔檢修荷載，屬于壁掛式支撐結構的主要受力體系。屏體龍骨均布置在水平片狀結構體系上。通常該體系可采用水平放置的桁架，對于節點距離較小的體系可直接采用型鋼作為橫梁，計算模型可采用連續梁方案。水平片狀結構體系是壁掛式支撐結構的關鍵構件。圖6，7研究了兩種水平片狀結構體系的應力應變特點，主體結構軸線間距為7500mm，在樓層中部設置的檢修平臺中間無法設置支撐點，因而該工程zui大變形點發生在樓層中部位置。根據變形特點分別采用兩種結構形式進行分析。節點構件均采用160 mmｘ160 mm×6 mm，單獨型鋼水平支撐結構采用100 mm×l00 mm×5 mm，組合桁架水平支撐結構弦桿采用50 mmｘ50 mmｘ4 mm，斜腹桿采用30mmｘ30 mm×3 mm。
    根據圖6，7的分析結果可知，當支撐結構體系總質量相同的情況下，采用斜腹桿組合桁架結構比采用直腹桿組合桁架結構變形小。結果表明，水平片狀結構體系采用斜腹桿組合桁架結構可有效降低支撐結構變形，尤其當框架軸線間距較大，中間區域無法連續設置支點時，增加斜腹桿密度可有效降低支撐結構變形。
    樓頂式支撐結構需結合樓頂原有結構布置進行設計，充分利用原有主體結構體系承擔荷載對優化樓頂式支撐結構體系非常重要。通常可結合建筑物造型采用平面桁架、空間桁架或網架結構等多種結構形式，結構方案靈活多變，可采用有限元分析軟件進行建模分析計算。針對樓頂輕鋼的特點應注意自振周期的特殊性以及鞭梢效應，宜對樓頂式支撐結構與大樓建立整體模型進行有限元分析，研究支撐結構的應力應變特性。
    樓頂式支撐結構屬于空間結構體系，其與主體結構的連接方式有多種類型，需根據實際主體結構頂部的情況確定。不同的結構類型受力性能差別很大，只有采用有限元方法分析整體空間結構的受力狀態才能得到符合實際的設計方案。圖8為結合實際工程主體結構突出丁頁面的剪力墻與下部柱頂布置支撐點形成的網架結構，鋼柱和支撐于剪力墻的橫鋼梁采用90 mmｘ90 mmｘ5 mm，橫向次鋼梁選用組合雙角鋼2ｘL40 ｘ4，斜腹桿均采用組合雙角鋼2ｘL30 ｘ3。采用鋼材總質量為13 900 kg，柱構件根部應力zui600習大，其值為133 N/mm2，其余構件應力均不大于 N/mm2，平面內zui大變形為3.08 mm，滿足變形要求（6）。圖9采用空間桁架結構體系，構件均選用方鋼管，其中柱和橫鋼梁支撐構件 100 mm×100 mmｘ5mm，次鋼梁80 mmｘ80 mmｘ5m，斜腹桿60mmｘ60 mmｘ4 mm，zui大應力值135 N/mm2，zui大變形值3.08 mm，鋼材總質量14100 kg。
    對比兩種結構類型可知，采用相同重量的網架結構體系與空間桁架結構體系的應力和應變相差不多，兩種結構體系效果相近。綜合考慮施工難度及維護方便等因素，樓頂式支撐結構宜選用空間桁架形式。
    4、節點分析
    采用鋼構件為主要構件的顯示屏支撐結構存在大量的連接節點，節點的準確設計對整體結構的安全性能至關重要。
    支撐結構與混凝土基礎連接采用預埋件，與主體混凝土結構的連接采用40c-學錨栓和植筋，在與梁體連接處優先采用對穿螺栓。所有節點均不得采用膨脹螺栓。基礎節點設置的錨栓數量應滿足承載力要求，并按照對稱原則進行等間距布置。落地式支撐結構屬于懸臂型結構體系，其柱根部應力較大；壁掛式支撐結構同樣屬于懸臂型結構體系，其節點根部應力較大。針對與基礎及主體結構連接節點的應力分布特點，采用在根部對節點進行處理的方案進行優化設計，可有效改善節點應力并降低鋼材用量。圖10為優化后的兩種根部節點類型。
　　  采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。
    PN結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質基礎
    有機發光二極管又稱為有機電激光顯示、有機發光半導體。由美籍華裔教授鄧青云（Ching W. Tang）于1979年在實驗室中發現。OLED顯示技術具有自發光、廣視角、幾乎無窮高的對比度、較低耗電、*反應速度等優點。但是，在價格（較大顯示面板）、壽命、分辨率暫無法與液晶顯示器匹敵。
    micro LED即LED微縮化和矩陣化技術。指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，如LED顯示屏每一個像素可定址、單獨驅動點亮，可看成是戶外led顯示屏的微縮版，將像素點距離從毫米級降低至微米級。
    Micro LED display，則是底層用正常的CMOS集成電路制造工藝制成LED顯示驅動電路，然后再用MOCVD機在集成電路上制作LED陣列，從而實現了微型顯示屏，也就是所說的LED顯示屏的縮小版。
    5、半導體
    半導體（semiconductor），指常溫下導電性能介于導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上有影響力的一種。
    6、外延生長
    在基片上生長結晶軸相互*的結晶層的技術。用于制作沒有雜質的結晶層。包括在基片上與氣體發生反應一積累結晶層的VPE（氣相生長）法、以及與溶液相互接觸以后生長結晶相的LPE（液相生長）法等。
    外延生長技術發展于50年代末60年代初。當時，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又外延生長 要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。外延生長的新單晶層可在導電類型、電阻率等方面與襯底不同，還可以生長不同厚度和不同要求的多層單晶，從而大大提高器件設計的靈活性和器件的性能。外延工藝還廣泛用于集成電路中的PN結隔離技術（見隔離技術）和大規模集成電路中改善材料質量方面。
    7、襯底
    襯底是指藍寶石晶棒或者是硅經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。分為繪圖襯底，和化工學襯底兩種。繪圖襯底指的是將圖片或文字充滿整個版面使其為底紋。化工學襯底zui常見的為氮化物襯底材料等。晶體管和集成電路都是在半導體片子的表面上來制作的，這里的半導體片就是襯底（片）。半導體襯底不僅起著電氣性能的作用，而且也起著機械支撐的作用。
    金屬有機化學氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ,簡稱MOCVD）1968年由美國洛克威公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術。該設備精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多科學為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的*電子設備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光二極管芯片的制造，也是光電行業zui有發展前途的設備之一。
    9、現象下降光效
    光效下降現象是指向芯片輸入較大電力時，LED的發光效率反而會降低近20%的現象。該現象zui早在1999年被*報道，一直是制約LED找，照明行業發展的重要障礙。
    10、量子阱quantum well
    量子阱（quantum well）是指與電子的德布羅意波長可比的微觀尺度上的勢阱。量子力學發展早期就提出了量子阱的概念。利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構造。帶隙較窄的層的電勢要比周圍（帶隙較寬的層）低，因此形成了勢阱（量子阱）。在LED和半導體激光器中，量子阱構造用于放射光的活性層。重疊多層量子阱的構造被稱為多重量子阱。
    11、LED外延片
    LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上，氣態物質 InGaAIP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。
    LED外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。
    GaN，即氮化鎵，屬六角纖鋅礦結構。在T=300K時為，是半導體照明中發光二極管的核心組成部份。通常工業上采用MOCVD設備來生長。GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是zui高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。
    13、藍光LED
    藍色發光二極管是氮化鎵二極管，發光二極管由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成的二極管，當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極管發紅光，磷化嫁二極管發綠光，碳化硅二極管發黃光，氮化鎵二極管發藍光。
    14、演色性
    演色性是指光源照射物體時呈現色彩的視覺效果質量高低的評價。這種評價的數值是以基準光下所看到的色彩指數為依據的，物體在全色光譜的照射下所反映的色彩zui真實。日光是演色性的等比例的全色光源，舞臺及影視照明光源除發光效率要求要高，而且要求光源顯色性能好，被照射物體的顏色失真少。
    15、LED的伏安特性
    所謂LED的伏安特性，即是流過LED P-N結(可參考LED革命,革命一文)的電流隨電壓變化的特性，在示波器上能十分形象地展示這種變化，一根完整的伏安曲線包括正向特性與反向特性。通常，反向特性曲線變化較為陡峭，當電壓超過某個閾值時，電流會出現指數式上升，從而擊穿LED P-N結。而LED的正向電壓也是由其正向電流決定的。從LED的伏安特性可知，正向電流的變化會引起正向電壓的相應變化，確切地說，正向電流的減小也會引起正向電壓的減小。所以在把電流調低的時候，LED的電壓也就跟著降低，這就會改變電源電壓和負載電壓之間的關系。
    16、調光
    調光的概念，顧名思義就是通過外部設備或信號（電子調光器、PWM信號、IR信號和1-10號）來調節光線的亮度及燈的開關功能。
    17、EPI
    外延工藝(Epitaxy, 簡稱Epi)是指在單晶襯底上生長一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料，外延層可以是同質外延層(Si/Si)，也可以是異質外延層(SiGe/Si或SiC/Si等)；同樣實現外延生長也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD)，常壓及減壓外延(ATM & RP Epi)等等。
    18、c面生長
    C面就是GaN的表面。
    19、分辨率
    LED顯示屏像素的行列數稱為LED顯示屏的分辨率。分辨率是顯示屏的像素總量，它決定了一臺顯示屏的信息容量。
    20、LED亮度
    正常情況下，室內LED顯示屏的亮度和室外LED顯示屏的亮度是不同的，一般情況下，室內LED顯示屏的光強在500μcd-50mcd,室外LED顯示屏的光強在100mcd-1000mcd,甚至在1000mcd以上。
   21、點間距
    點間距是指LED顯示屏兩兩像素的中心距，單位面積內像素的數量稱為像素密度，單位面積內所含顯示內容數量稱為信息容量。點間距、像素密度、信息容量是描述的同一概念，即點間距是從兩兩像素間的距離來反映像素密度，點間距和像素密度是顯示屏的物理屬性，信息容量則是像素密度的信息承載能力的數量單位。點間距越小，像素密度越高，信息容量越多，適合觀看的距離越近。點間距越大，像素密度越低，信息容量越少，適合觀看的距離越遠。
    22、灰度
    灰度是指像素發光明暗程度，一種基色的灰度一般有8級至1024級。正常情況下，LED顯示屏的灰度為256級。
    23、LED像素模塊
    LED排列成矩陣或筆段，預制成標準大小的模塊。戶外顯示屏用的像素模塊因為其每一像素由兩只以上LED管束組成，故又稱其為集管束模塊。
    24、雙基色
    雙擊色LED顯示屏，即每一個象素有兩個LED管芯，紅光和綠光管芯，紅光管芯亮時該像素為紅色，綠光管芯亮時該像素為綠色，紅綠兩管芯同時亮時則該像素為黃色。
    25、全彩色
    紅綠雙基色再加上藍基色，三種基色就構成全彩色。由于構成全彩色的藍色管和純綠色管芯的技術現在已經成熟，故市面基本都用全彩色。
    UV LED是LED的一種，是單波長的不可見光，一般在400nm以下。主要有365nm和395nm。UV膠固化一般使用365nm波長。通過專門設計使UVLED能發出一個完整連續紫外光帶，滿足封邊，印刷等領域的生產需要。線光源有超長的壽命、冷光源、無熱輻射、壽命不受開閉次數影響、能量高、照射均勻提高生產效率，不含有毒物物質比傳統的光源更安全、更環保。

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