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東莞惠海半導體有限公司
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光束燈主板N溝道60V50低壓MOS管
采用的SGT工藝，結MOS管，低電容 、低內阻，高性能，高性價比，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC012N06L2 參數：60V50A ，類型：N溝道場效應管，內阻14mR， 低結電容1100pF，封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內阻，低結電容,低開啟電壓
HC012N06L2采用的SGT工藝，結MOS管，低電容 、低內阻，高性能，高性價比，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
光束燈主板N溝道60V50低壓MOS管
光束燈主板N溝道60V50低壓MOS管
MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏和源之間有一個寄生二管。這個叫體二管，在驅動感性負載（如馬達），這個二管很重要。順便說一句，體二管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。
MOS管導通特性
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源接地時的情況（低端驅動），只要柵電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源接VCC時的情況（驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅動中，通常還是使用NMOS。
MOS開關管損失
不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
MOS管驅動
跟雙性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
HC012N06L2優勢替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2廣泛應用于LED驅動電源、LED汽車大燈驅動電源、舞臺燈光、帕燈控制板等產品，高性價比
在客戶正式量產訂貨前公司可免費提供樣品測試
工廠規模：
可靠性測試及品質把控：
封裝及測試流程：
公司庫存實力展示：
多型號如下：
型號：HC012N06L2 N溝道場效應管 60V50A 50N06 TO-252封裝 內阻14毫歐 結MOS管SGT工藝
型號：HC012N06L N溝道場效應管 60V50A(50N06 )TO-252封裝， 內阻12mR,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
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