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東莞惠海半導體有限公司
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所 在 地深圳市
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更新時間：2020-03-04 11:38:09瀏覽次數：504次
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SGT工藝 開啟電壓1.5V 染色燈60V結MOS管
采用SGT工藝，結MOS管，低電容 、低內阻，高性能，高性價比，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC012N06L2 參數：60V50A ，類型：N溝道場效應管，內阻14mR， 低結電容1100pF，封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內阻，低結電容,低開啟電壓
HC012N06L2采用的SGT工藝，結MOS管，低電容 、低內阻，高性能，高性價比，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
SGT工藝 開啟電壓1.5V 染色燈60V結MOS管
SGT工藝 開啟電壓1.5V 染色燈60V結MOS管
MOS管驅動
跟雙性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
HC012N06L2優(yōu)勢替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2廣泛應用于LED驅動電源、LED汽車大燈驅動電源、舞臺燈光、帕燈控制板等產品，高性價比
在客戶正式量產訂貨前公司可免費提供樣品測試
工廠規(guī)模：
可靠性測試及品質把控：
封裝及測試流程：
公司庫存實力展示：
多型號如下：
型號：HC012N06L2 N溝道場效應管 60V50A 50N06 TO-252封裝 內阻14毫歐 結MOS管SGT工藝
型號：HC012N06L N溝道場效應管 60V50A(50N06 )TO-252封裝， 內阻12mR,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
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