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60V7A汽車大燈驅(qū)動電源MOS管HC706

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更新時間：2018-09-18 15:19:25瀏覽次數(shù)：397次

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  中低壓MOS管

場效應(yīng)管MOS管

MOS管

場效應(yīng)管

50N06

車燈驅(qū)動*MOS

汽車燈電源MOS管

電機驅(qū)動器MOS管

MOS管DTU40N06

車燈MOS

60V貼片MOS

MOS管G1003A

PWM調(diào)光無頻閃IC

AO3400

汽車燈*MOS管

汽車燈MOS

加濕器MOS管

香薰機*MOS管

霧化器*MOS管

DTU15N10

60V MOS管

100V5A

替代VS1H03AL

30V貼片MOS

替代AO3400

30V貼片MOS管

汽車燈MOS管

60V30A MOS管

遠近光燈切換MOS管

貼片MOS100V4A

貼片MOS管100V5A

貼片MOS 100V2A

100V3A貼片MOS

POE電源MOS管

DTU35N06

G1002

替代G1002L

G1003B

G1003A

CMD12N10

100V貼片MOS管

100V MOS管

4N10 MOS管

30N06 MOS管

50N06 MOS管

3400

DTU35N06 35A60V

50N06 50A60V MOS管

HC510

4N10

霧化器MOS管

小家電MOS管

15N10

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產(chǎn)品簡介

60V7A汽車大燈驅(qū)動電源MOS管HC706
低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強

詳細介紹

型號:HC706參數(shù)：60V7A ，類型：N溝道場效應(yīng)管，內(nèi)阻70mR，結(jié)電容435pF, 封裝：貼片（SOP-8），低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強

HC706采用SGT工藝，屬于結(jié)MOS管，性能比溝槽工藝/平面工藝的MOS管好、溫升低，低結(jié)電容，低內(nèi)阻，高性能，高性價比，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強，低溫升

60V7A汽車大燈驅(qū)動電源MOS管HC706

HC706用途廣泛可用于霧化器、香薰機、加濕器、LED電源、各種馬達驅(qū)動電機，水磊控制器、于汽車大燈驅(qū)動電源，節(jié)日燈、圣誕燈、電動牙刷、鋰電池保護板、數(shù)碼產(chǎn)品、馬達驅(qū)動電機，LED電源，LED汽車大燈電源，LED景觀燈電源、LED舞臺燈電源、LED車燈電源，LED舞臺燈驅(qū)動電源，LED舞臺燈控制板，LED景觀照明驅(qū)動電源，LED燈驅(qū)動電源,霧化器，香薰機，加濕器、安防電源等產(chǎn)品

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MOS管種類和結(jié)構(gòu)

      MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
      至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
      對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏和源之間有一個寄生二管。這個叫體二管，在驅(qū)動感性負載（如馬達），這個二管很重要。順便說一句，體二管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

MOS管導(dǎo)通特性

      導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。
      NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵電壓達到4V或10V就可以了。
      PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源接VCC時的情況（驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

MOS開關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

MOS管驅(qū)動

      跟雙性晶體管相比，一般認為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
      在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
      第二注意的是，普遍用于驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要是柵電壓大于源電壓。而驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源電壓與漏電壓（VCC）相同，所以這時柵電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。

MOS管的驅(qū)動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

MOS管應(yīng)用電路

MOS管較顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。

【場效應(yīng)管的作用】
1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。