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東莞惠海半導體有限公司
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HC012N06L2替代FQD50N06 結MOS管60V50A
采用SGT工藝，結MOS管，低電容 、低內阻，高性能，高性價比，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC012N06L2 參數：60V50A ，類型：N溝道場效應管，內阻14mR， 低結電容1100pF，封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內阻，低結電容,低開啟電壓
HC012N06L2采用的SGT工藝，結MOS管，低電容 、低內阻，高性能，高性價比，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
HC012N06L2替代FQD50N06 結MOS管60V50A
HC012N06L2替代FQD50N06 結MOS管60V50A
HC012N06L2優勢替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2廣泛應用于LED驅動電源、LED汽車大燈驅動電源、舞臺燈光、帕燈控制板等產品，高性價比
在客戶正式量產訂貨前公司可免費提供樣品測試
工廠規模：
可靠性測試及品質把控：
封裝及測試流程：
公司庫存實力展示：
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
使用優勢
場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙型器件。
有些場效應管的源和漏可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
多型號如下：
型號：HC012N06L2 N溝道場效應管 60V50A 50N06 TO-252封裝 內阻14毫歐 結MOS管SGT工藝
型號：HC012N06L N溝道場效應管 60V50A(50N06 )TO-252封裝， 內阻12mR,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
深圳市惠新晨電子一直致力于建設優良的芯片設計隊伍、優良的產品應用隊伍、優良的銷售隊伍，保持產品的不斷創新，力爭為客戶帶來大有競爭力的產品。為創造一個綠地球而努力，為今天為明天，惠新晨與你一起努力！
HC012N06L2優勢替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
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