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東莞惠海半導體有限公司
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60V50A貼片TO-252場效應管低壓MOS管N溝道
采用SGT工藝,結MOS管,低電容 、低內阻,高性能,高性價比,溫升低,轉換效率高,過電流大,抗沖擊能力強
深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC012N06L2 參數:60V50A ,類型:N溝道場效應管,內阻14mR, 低結電容1100pF,封裝:貼片(TO-252),低開啟電壓1.5V,低內阻,低結電容,低開啟電壓
HC012N06L2采用的SGT工藝,結MOS管,低電容 、低內阻,高性能,高性價比,溫升低,轉換效率高,過電流大,抗沖擊能力強
60V50A貼片TO-252場效應管低壓MOS管N溝道
60V50A貼片TO-252場效應管低壓MOS管N溝道
HC012N06L2優勢替代HY1606D,替代HY1403D,替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06,替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2廣泛應用于LED驅動電源、LED汽車大燈驅動電源、舞臺燈光、帕燈控制板等產品,高性價比
在客戶正式量產訂貨前公司可免費提供樣品測試
工廠規模:
可靠性測試及品質把控:
封裝及測試流程:
公司庫存實力展示:
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
使用優勢
場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單型器件,而晶體管是既有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙型器件。
有些場效應管的源和漏可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
多型號如下:
型號:HC012N06L2 N溝道場效應管 60V50A 50N06 TO-252封裝 內阻14毫歐 結MOS管SGT工藝
型號:HC012N06L N溝道場效應管 60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內阻12mR,汽車燈電源、電機驅動、控制器等
深圳市惠新晨電子一直致力于建設優良的芯片設計隊伍、優良的產品應用隊伍、優良的銷售隊伍,保持產品的不斷創新,力爭為客戶帶來大有競爭力的產品。為創造一個綠地球而努力,為今天為明天,惠新晨與你一起努力!
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