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東莞惠海半導體有限公司
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100V35A場效應管 內阻22mR 替代ST18N10D
供應中低壓壓N溝道場效應管NMOS管 *，質優價廉 大量現貨 量大價優 歡迎選購，低內阻，結電容小，采用溝槽工藝，性能*
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產品型號：HC021N10L參數：100V35A ，類型：N溝道場效應管，內阻22mR，低結電容1880pF 封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內阻，結電容小,低開啟電壓，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
100V35A場效應管 內阻22mR 替代ST18N10D
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HC012N10L優勢替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10
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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
使用優勢
場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙型器件。
有些場效應管的源和漏可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
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