N溝道增強型MOSFET TDM3426  AX3071+TDM3426 5V/4.8A車充方案BOM表

說明  AX3071+AM4006 5V/4.8A配套車充方案
該TDM3426采用的溝道技術
提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。此
設備是適合用作負載開關或以PWM
應用。
一般功能   AX3071+TDM3426 5V/4.8A車充方案BOM表
RDS（ON）<9.8mΩ@ VGS=4.5V
RDS（ON）<7.2mΩ@ VGS=10V
 高功率和電流移交能力
 獲取無鉛產品
 表面貼裝封裝   AX3071+AM4006 5V/4.8A配套車充方案
應用
 PWM應用
 負荷開關   AX3071+TDM3426 5V/4.8A車充方案BOM表
 電源管理
zui大額定值（TA =25℃除非另有說明）
參數符號限值單位
漏 - 源電壓VDS30 V
柵源電壓VGS+ 20V
漏電流@連拍（注2）  
ID（25℃）15 A
ID（100℃），12位A
漏電流@電流脈沖（注1）IDM60 A
zui大功率耗散（TA=25℃），PD為3.5W
工作結存儲溫度范圍TJ，TSTG-55到150℃
熱特性
熱阻，結到環境（注2）RθJA35℃/ W   AX3071+TDM3426 5V/4.8A車充方案BOM表

N溝道增強型MOSFET TDM3428  

說明該TDM3428采用的溝道技術提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。此設備是適合用作負載開關或以PWM應用。一般功能 RDS（ON） RDS（ON） 高功率和電流移交能力 獲取無鉛產品 表面貼裝封裝應用 PWM應用 負荷開關 電源管理zui大額定值（TA =25℃除非另有說明）參數符號限值單位漏 - 源電壓VDS30 V柵源電壓VGS+ 20V漏電流@連拍（注1）ID（25℃）50 AID（100℃）40 A漏電流@電流脈沖（注1）IDM125一zui大功率耗散（TA = 25℃）PD50瓦工作結存儲溫度范圍TJ，TSTG-55到150℃熱特性熱阻，結到環境（注2）RθJA20℃/ W

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