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外置MOS100W PD電源芯片推薦

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  • 外置MOS100W PD電源芯片推薦

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具體成交價以合同協議為準
  • 型號 CRE68362
  • 品牌
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 深圳市

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更新時間:2020-07-08 19:57:44瀏覽次數:1524

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產品簡介

外置MOS100W PD電源芯片推薦采用了新技術,更有效的降低了芯片內部的功耗。芯片的VDD支持8-80V寬電壓供電。

詳細介紹

 

CRE68362

out power:45-100w

fosc:65khz

VDD:8-80v

POWER Tube:EXternal MOS

OTP:ADJ

外置MOS100W PD電源芯片推薦功能特點:

專業為PD和QC快充方案設計的寬電壓范圍8-80V
六級能效裕量充分
QR谷底開關技術
軟啟動減小MOS應力

外置MOS100W PD電源芯片推薦采用了新技術,更有效的降低了芯片內部的功耗。芯片的VDD支持8-80V寬電壓供電,

無需外加LDO或降壓電路。 采用小型的SOT23-6封裝、65K的工作頻率,滿足新型小體積高性價

比的PD電源設計,腳位兼容性強,方案設計上能夠滿足100W的輸出功率。

CRE68362為高性能多模式PWM反激式控制器。該產品方便用戶以較少的外圍元器件、較低的系統

成本設計出高性能的交直流轉換開關電源。 

CRE68362提供了極為全面和性能優異的智能化保護功能,包括逐周期過流保護、過載保護、

軟啟動、芯片過溫保護、可編程過溫保護功能、可編程過壓保護功能、VDD 欠壓鎖定保護功能、

VDD 過壓鎖定保護功能、次級整流管短路保護功能。 

CRE68362芯片具有自動識別負載大小,自動調整工作模式的功能。在滿載或重載條件下,

芯片工作在固定 65KHz 頻率。當負載減輕,芯片進入谷底切換模式,同時工作頻率降低,

有效降低開關損耗。當負載處于極輕載或空載條件時,芯片處于間隔模式。 

CRE68362內置智能抖頻技術,不僅降低了系統在降頻模式所產生的電磁干擾,

同時還有效降低了輸出紋波。芯片*的工作模式使得音頻能量小化,無音頻噪聲。 

CRE68362采用SOT23-6封裝,為需要超低待機功耗的高性價比反激式開關電源系統提供了一個

很好的設計平臺,非常適合滿足六級能效 Level6 和歐洲節能標準 Eur2.0 的應用。

特征: 
內置軟啟動功能 
內置線電壓補償 
內置斜坡補償 
改善電磁干擾的智能抖頻技術 
超低啟動電流 
可編程輸出電壓保護功能 
可編程過溫保護功能 
高雜訊抗*力 
多模式控制 
滿載固定 65KHz 頻率 
中載谷底切換模式 
輕載間隔模式 
精確的過載保護功能 
逐周期過流保護功能 
次級整流管短路保護功能 
VDD 過壓保護功能 
欠壓鎖定保護功能(UVLO) 
無音頻噪聲
應用 
開關式 ACDC 電源 
筆記本電腦適配器 
PC 外圍供電設備 
智能小家電

 

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