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北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)
品 牌智德創(chuàng)新
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地北京市
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更新時(shí)間：2024-02-10 10:27:30瀏覽次數(shù)：150次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 智慧城市網(wǎng)介質(zhì)損耗角正切值試驗(yàn)儀的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至0低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量時(shí)更為精確。
介質(zhì)損耗角正切值試驗(yàn)儀
介質(zhì)損耗角正切值試驗(yàn)儀參數(shù)設(shè)置：
功能名稱： | ZJD-A | ZJD-B | ZJD-C |
信號(hào)源范圍DDS數(shù)字合成信號(hào) | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號(hào)源頻率精度:6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個(gè)字 | 3×10-5 ±1個(gè)字 | 3×10-5 ±1個(gè)字 |
Q測(cè)量范圍 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 | 1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測(cè)量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測(cè)量范圍:4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H , 分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測(cè)量誤差 | <5% | <5% | <5% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測(cè)量范圍 | 1pF～2.5uF | 1pF～2.5uF | 1pF～25nF |
調(diào)諧電容誤差 | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% |
諧振點(diǎn)搜索 | 自動(dòng)掃描 | 自動(dòng)掃描 | 自動(dòng)掃描 |
LCD顯示參數(shù) | F，L，C，Q，Lt，Ct等 | F，L，C，Q，Lt，Ct等 | F，L，C，Q，Lt，Ct，Tn，Er等 |
殘余電感自動(dòng)扣除功能 | 有 | 有 | 有 |
大電容值直接測(cè)量顯示功能 | 測(cè)量值可達(dá)2.5uF | 測(cè)量值可達(dá)2.5uF | 測(cè)量值可達(dá)25nF |
介質(zhì)損耗系數(shù) | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 |
介電常數(shù) | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 |
材料測(cè)試厚度 | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm |
介電常數(shù) | 手動(dòng)測(cè)試 | 手動(dòng)測(cè)試 | 自動(dòng)測(cè)試 |
USB接口 | 支持介電常數(shù)輸出以及產(chǎn)生曲線 |
介電性能定義：介電性能是指在電場(chǎng)作用下,表現(xiàn)出對(duì)靜電能的儲(chǔ)蓄和損耗的性質(zhì)，通常用介電常數(shù)和介質(zhì)損耗來表示.
介電常數(shù)定義：
介電常數(shù)，又稱電容率〔permittivity 〕,是電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E之比ε= D/E ，其單位為F/m 。
介電常數(shù)小的電介質(zhì)，其分子為非極性或弱極性構(gòu)造，介電常數(shù)大的電介質(zhì)，其分子為極性或強(qiáng)極性構(gòu)造。
介電常數(shù)是表征電介質(zhì)的最根本的參量，是衡量電介質(zhì)在電場(chǎng)下的極化行為或儲(chǔ)存電荷能力的參數(shù)。
電介質(zhì)電容、介電常數(shù)
真空電容 C0=Q0/V=e0s/d
電介質(zhì)電容 C=Q/V=ereos/d
相對(duì)介電常數(shù) εr = C/C0
Co = Q/V = eoA/d
C = eA/d er= e /eo
介電損耗 Dielectric loss
介質(zhì)的介電損耗是指電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)每單位體積中將電能轉(zhuǎn)換為熱能而損耗的能量。
電介質(zhì)的介電損耗一般用損耗角正切tand 表示，并定義為：
tand=介質(zhì)損耗的功率（即有效功率）/無功功率
同時(shí)，介電損耗也是表示絕緣材料〔如絕緣油料〕質(zhì)量的指標(biāo)之一。介電損耗愈小，絕緣材料的質(zhì)量愈好，絕緣性能也愈好。
tanδ=1/WCR(式中W為交變電場(chǎng)的角頻率；C為介質(zhì)電容；R為損耗電阻)。
tand是頻率的函數(shù)，是電介質(zhì)的自身屬性，與試樣的大小和形狀無關(guān)。可以和介電常數(shù)同時(shí)測(cè)量，用介質(zhì)損耗儀、電橋、Q表等測(cè)量。
電導(dǎo)時(shí)tand與頻率ω的關(guān)系
介電損耗的形式
電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下，內(nèi)部通過的電流包括：
〔1〕電容電流：由樣品的幾何電容充電引起電流〔位移電流〕；
〔2〕吸收電流：由松弛極化引起，是介質(zhì)在交變電壓作用下引起介質(zhì)損耗的主要來源；
〔3〕漏電電流：由介質(zhì)電導(dǎo)引起，與自由電荷有關(guān)，使介質(zhì)產(chǎn)生電導(dǎo)損耗。
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