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北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司


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介電常數(shù)介質(zhì)損耗角正切值測試儀

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌智德創(chuàng)新

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

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更新時(shí)間:2024-02-13 14:57:52瀏覽次數(shù):344次

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產(chǎn)品簡介

介電常數(shù)介質(zhì)損耗角正切值測試儀符合標(biāo)準(zhǔn):《JJG563-2004高壓電容電橋檢定規(guī)程》《JB1811-92壓縮氣體標(biāo)準(zhǔn)電容器》《GB1409-2016固體絕緣材料相對(duì)介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》《ASTM D150固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗(yàn)方法》
《IEC 60250測定電氣絕緣材料在工頻、音頻、射頻(包括米波長)下電容率和電介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法》

詳細(xì)介紹

介電常數(shù)介質(zhì)損耗角正切值測試儀

1.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>
了解測定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切測定的基本原理
掌握高分子材料材料介電常數(shù)和介電損耗角正切測定的測定方法


2.
實(shí)驗(yàn)原理
介電常數(shù)是表征絕緣材料在交流電場下,介質(zhì)極化程度的一個(gè)參數(shù),它是充滿此絕緣材料的電容器的電容量與以真空為電介質(zhì)時(shí)同樣電極尺寸的電容器的電容量的比值。介質(zhì)損耗角正切是表征該絕緣材料在交流電場下能量損耗的一個(gè)參數(shù),是外施正弦電壓與通過試樣的電流之間的相對(duì)的余角正切。測定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切實(shí)驗(yàn)方法有:工頻高壓電橋法和變電納法。
本實(shí)驗(yàn)采用工頻高壓電橋法。其工作原理為:被測試樣與無損耗標(biāo)準(zhǔn)電容Co是電橋的兩相鄰橋臂,橋臂R3是無感電阻,與它相鄰的臂由電容C4和恒定電阻R4并聯(lián)構(gòu)成。在電阻R4的中點(diǎn)和屏蔽間接有一可調(diào)電容Ca來完成線路的對(duì)稱操作。線路的對(duì)稱在這里理解為使R3對(duì)屏蔽"R4對(duì)屏蔽"的寄生電容固定且相等。由于電阻線圈R3中的金屬線比電阻R4長得多,臂R3的寄生電容也將大于臂R4的寄生電容。附加電容Ca可以增大臂R4的電容泄漏,使其數(shù)值與臂R3的泄漏相等。臂CaCo的寄生電容不大,因此不用對(duì)他們加以平衡。
保護(hù)電壓e的作用是消除放大器P處頂點(diǎn)可能存在的泄漏電流,為此e是一個(gè)將橋P處頂點(diǎn)的電位引向地電位的裝置。
這主類電橋平衡后必然有:Zx·Z4Zs·Z3
……3-45
其中 Zxj / (ωCx)

Zs
j / (ωCs)
Z3=R3

Z4=[
1 / R4+ jωC4]-1
由平衡條件及tgδ定義可計(jì)算出:tgδ=2πf C4·R4·10-12
當(dāng)f50HzR410000/πΩ時(shí),有tgδ= C4·10-6,即可用C4直接表示tgδ值。根據(jù)式(3-45)計(jì)算可得到:
C4=C3·(R4
/ R3)·[1+(1/ tg2δ)]
ε
Cs / Co
本方法適用于測試固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖維制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和玻璃等的相對(duì)介電常數(shù)與介質(zhì)損耗角正切以及由它們計(jì)算出來的相關(guān)參數(shù),例如損耗因素。
對(duì)有些絕緣材料如橡膠以及橡膠制品,薄膜等的上述性能實(shí)驗(yàn),可按照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或者參考本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。
3.實(shí)驗(yàn)試樣
本次實(shí)驗(yàn)采用多型腔圓片模具注塑成型的高密度聚乙烯圓片試樣.直徑120mm厚度3mm(由材料形狀,電極選二電極,板狀電極)
4.實(shí)驗(yàn)設(shè)備
ZJD-C
高低頻介電常數(shù)測試儀 北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司生產(chǎn)
電極
采用板狀圓形電極

5.實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

序號(hào)

Ca0

ξ


1

52.35

2.20


2

52.67

1.90


3

52.67

1.64


序號(hào)

R3(Ω)

tgδ

t

1

1385

45.4

3.32

2

1587

45.3

3.30

3

1838

40.5

3.30

                             6.思考題
1.
實(shí)驗(yàn)要求試樣厚度不大于3mm的原因?答:試樣的厚度如果大于3mm,為了測得他的介電常數(shù),需要一個(gè)很高的電壓,這樣使得設(shè)備條件更加苛刻,實(shí)驗(yàn)環(huán)境也不安全。
3.
試樣中含有雜質(zhì)的測試結(jié)果?答:介電系數(shù)增大,導(dǎo)電介質(zhì)或極性雜質(zhì)的存在,會(huì)增加高聚物的導(dǎo)電電流和極化率,因而使介電損耗增大,特別是對(duì)于非極性高聚物來說,雜質(zhì)成了引起介電損耗的主要原因。
3.
實(shí)驗(yàn)環(huán)境條件如溫度、濕度對(duì)測定結(jié)果的影響
溫度:溫度變化會(huì)引起高聚物的粘度變化,因而極化建立過程所需要的時(shí)間也起變化。溫度對(duì)取向極化(介電常數(shù))有兩種相反的作用,一方面溫度升高,分子間相互作用減弱,粘度下降,使偶極轉(zhuǎn)動(dòng)取向容易進(jìn)行,介電常數(shù)增加;另一方面,溫度升高,分子熱運(yùn)動(dòng)加劇,對(duì)偶極轉(zhuǎn)動(dòng)干擾增加,使極化減弱,介電系數(shù)下降。對(duì)于一般的高聚物來說,在溫度不太高時(shí),前者占主導(dǎo)地位,因而溫度升高,介電常數(shù)增大,到一定范圍,后者超過前者,介電常數(shù)即開始隨溫度升高而減小。
濕度:濕度越大,水分越多,能明顯增加高聚物介電損耗的極性雜質(zhì)。在低頻下,它主要以離子電導(dǎo)形式增加電導(dǎo)電流,引起介電損耗;在微波頻率范圍,水分子本身發(fā)生偶極松弛,出現(xiàn)損耗峰。對(duì)于極性高聚物,水有不同程度的增塑作用,尤其是聚酰胺類和聚丙烯酸酯類等,結(jié)果將使高聚物的介電損耗峰向較低溫度移動(dòng)。水對(duì)熱固性塑料也有影響。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗角正切值測試儀—測試意義

1、介電常數(shù)——北京智德創(chuàng)新檢測儀器絕緣材料通常以兩種不同方式來使用,即(1)用于固定電學(xué)網(wǎng)絡(luò)部件,同時(shí)讓其彼此以及與地面絕緣;(2)用于起到某一電容器的電介質(zhì)作用。在第一種應(yīng)用中,通常要求固定的電容盡可能小,同時(shí)具有可接受且一致的機(jī)械,化學(xué)和耐熱性能。因此要求電容率具有一個(gè)低值。在第二種應(yīng)用中,要求電容率具有一個(gè)高值,以使得電容器能夠在外型上能盡可能小。有時(shí)使用電容率的中間值來評(píng)估在導(dǎo)體邊緣或末端的應(yīng)力,以將交流電暈降至最小。
2
、交流損耗——對(duì)于這兩種場合(作為電學(xué)絕緣材料和作為電容器電介質(zhì)),交流損耗通常必須是比較小的,以減小材料的加熱,同時(shí)將其對(duì)網(wǎng)絡(luò)剩余部分的影響降至最小。在高頻率應(yīng)用場合,特別要求損耗指數(shù)具有一個(gè)低值,因?yàn)閷?duì)于某一給定的損耗指數(shù),電介質(zhì)損耗直接隨著頻率而增大。在某些電介質(zhì)結(jié)構(gòu)中,例如試驗(yàn)用終止襯套和電纜所用的電介質(zhì),通常電導(dǎo)增加可獲得損耗增大,這有時(shí)引入其來控制電壓梯度。在比較具有近似相同電容率的材料時(shí)或者在材料電容率基本保持恒定的條件下使用任何材料時(shí),這可能有助于考慮耗散因子,功率因子,相位角或損耗角。
3
、相關(guān)性——北京智德創(chuàng)新檢測儀器當(dāng)獲得適當(dāng)?shù)南嚓P(guān)性數(shù)據(jù)時(shí),耗散因子或功率因子有助于顯示某一材料在其它方面的特征,例如電介質(zhì)擊穿,濕分含量,固化程度和任何原因?qū)е碌钠茐摹H欢捎跓崂匣瘜?dǎo)致的破壞將不會(huì)影響耗散因子,除非材料隨后暴露在濕分中。當(dāng)耗散因子的初始值非常重要的,耗散因子隨著老化發(fā)生的變化通常是及其顯著的。




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