公司簡介：

德國BERTHOLD公司成立于1949年，是密度、物位、濕度以及流量等非接觸監(jiān)測和參量處理領(lǐng)域和在線過程分析的專家，提供基于光或核射線等技術(shù)的熱幅光源、防護設備、檢測器和電子設備。德國BERTHOLD公司是第八家獲得的德國企業(yè)，近六十年的豐富經(jīng)驗和不斷創(chuàng)新的技術(shù)使德國BERTHOLD微孔板熒光儀公司成為此領(lǐng)域內(nèi)客戶shou選的合作伙伴。經(jīng)過50多年的努力，德國BERTHOLD已經(jīng)成為世界的發(fā)光檢測分析儀生產(chǎn)商，公司1989已通過了ISO 9001質(zhì)量管理體系認證，從而確保了所有BERTHOLD微孔板熒光儀在性能上的高標準，公司分支機構(gòu)和代表處分布在世界各地。

主要產(chǎn)品：

Berthold管式和微孔板發(fā)光儀， Berthold多功能微孔板測讀儀， Berthold微孔板熒光儀， Berthold酶標儀， Berthold活體影像系統(tǒng)

特點:

Berthold技術(shù)作為的微孔板熒光儀技術(shù)產(chǎn)品的特點是具有高測量性能和可靠性。

Berthold的密度測量系統(tǒng)分為*非接觸式和非侵入性的。測量可以在所有的液體和散裝材料進行，包括高酸，堿或鹽溶液和懸浮液。

Berthold所有的密度計提供免維護操作，可以很容易地安裝在現(xiàn)有的管道的過程中。該測量系統(tǒng)適用于所有的管道從25到1000mm。

測量原理

基于輻射原理，Berthold的密度計，可以在zui苛刻和敵對的工藝條件下操作。

此外，Berthold被用來監(jiān)測氣動輸送或自由下落的物料質(zhì)量流量。他們很容易安裝在現(xiàn)有一個可靠和免維護操作的系統(tǒng)中。

供應德國Berthold LB6411便攜式中子檢測儀/探頭  產(chǎn)品介紹：

儀器具有相當高的靈敏度，每nSv約3個計數(shù)，非常適合在很弱的中子輻射場中進行測量?？梢宰鳛楸銛y式劑量儀，也可以用作固定式劑量監(jiān)測儀。單能中子注量響應實驗在德國布朗施維格物理研究所進行。

供應德國Berthold LB6411便攜式中子檢測儀/探頭  產(chǎn)品特點：

德國Berthold LB6411中子探頭具有*的靈敏度，非常適于在很弱的中子輻射場中測量。

ICRP的第60號出版物推薦使用新的輻射量單位，伯托公司聯(lián)合卡爾斯魯厄公司共同研制了中子劑量率 儀LB6411。系統(tǒng)探頭采用獲得的He-3正比計數(shù)管，計數(shù)管置于直徑 250mm的慢化球中心，計數(shù)管的幾何位置是根據(jù)蒙卡模擬程序（MCNP）計算的結(jié)果，并獲得了。

 產(chǎn)品參數(shù)：

顯示屏：高對比度液晶點陣顯示，分辨 率32 x 84 像素 ；背景燈照明（可關(guān)閉），4位數(shù)字顯示測量結(jié)果，自動擴展量程
操作：5個鍵，1個開關(guān)鍵，4個軟鍵
探頭連接：8zhen孔接線插座 Fischer 04, 螺旋式電纜LB 75576（標準）
數(shù)據(jù)輸出（可選）：FSMA連接器, 通過波束波導和帶D 25連接器波束波導接口 LB 75306
溫度范圍：-15°C - 50°C
尺寸：145 mm (高) x 170 mm (寬) x 45 mm (深)
重量：約0. 8kg （含電池）
電源：3節(jié)IEC-R14 或 3 節(jié)可充電電池Varta NiCd #5014
電池壽命：使用R14 >150 小時

LB6411中子探頭技術(shù)參數(shù)：

測量量：中子周圍劑量當量H*(10)

量程：30 nSv/h ~ 100 mSv/h

中子能量范圍：熱中子 ~ 20 MeV

刻度源：Cf-252裸中子源

注量響應：1.09 cm2

周圍劑量當量響應：

每µSv 2.83 個計數(shù)

 每µSv/h 0.79個計數(shù)

刻度因子：1.27 µSv/h / cps

響應函數(shù)：注量及能量響應函數(shù)在一起說明書中可以查詢。

能量相關(guān)性：50 keV ~ 10 MeV之間為± 30%

γ靈敏度： 讀數(shù)小于40 µSv/h（10mSv/h 137-Cs γ 場中）

溫度范圍：-10°C ~ 50°C

慢化球直徑：250 mm

號：

德國號：

量子點紅外探測器 編輯
量子點紅外探測器（QDIP）在紅外探測領(lǐng)域具有十分廣闊的應用前景,同時由于QDIP的有效載流子壽命長、暗電流低、工作溫度高、對垂直入射光響應等優(yōu)勢,近年來高性能QDIP已經(jīng)成為研究的熱點。
中文名 量子點紅外探測器 類    別 儀器 類    型 紅外探測器 對    象 量子點
目錄
1 量子點材料生長
2 QDIP 的主要結(jié)構(gòu)
? 簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
? 引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
? 引入InGaAs 應力緩解層結(jié)構(gòu)
? Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
? InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
3 QDIP 的測試
量子點材料生長編輯
量子點結(jié)構(gòu)的生長技術(shù)是QDIP研究的基礎。低維半導體結(jié)構(gòu)的發(fā)展很大程度上依賴于材料生長技術(shù)（分子束外延技術(shù)、金屬有機化合物化學氣相沉積技術(shù)等）和精細加工工藝（聚焦電子、離子束和X射線光刻技術(shù)等）的進步。上個世紀90年代，人們開發(fā)了無損傷的低維半導體材料的制備方法，就是利用不同材料的晶格失配而產(chǎn)生的應力，通過Stranski-Krastanow(S-K)生長模式來獲得無缺陷、無位錯和尺寸均勻的量子點，即所謂的自組織生長量子點的方法。這為制備滿足器件要求的量子結(jié)構(gòu)帶來了希望。隨著科學技術(shù)的發(fā)展，人們又提出了很多新的制備方法。其中包括：（a）在部分掩膜襯底上原位生長量子點（由于掩膜受光刻精度的限制，所以降低了人們對此工藝的興趣）；（b）采用偏向襯底或高指數(shù)面襯底，一定晶向的襯底提供的橫向周期性將會影響吸附原子的生長動力學過程從而導致不同的應力弛豫機制；高指數(shù)面的表面再構(gòu)可使量子點的空間分布有序化。這兩種方法的難點是器件后期工藝要求特殊控制。（c）應力緩沖層法，先在襯底上生長適當厚度的應力緩沖層后，再生長量子點。由于應力緩沖層的引入改變了應力場的分布，使量子點形成于富In區(qū)或凸起點的上方。從外延生長的角度來分，共有三種生長模式：層狀生長，即FM模式；島狀生長，即VM模式；層狀加島狀生長，即S-K模式。不同的生長模式主要由表面能、界面能和晶格失配度的大小確定的。（1）若失配度較小且外延層表面能和界面能之和小于襯底的表面能，則外延生長為層狀的FM模式；（2）若失配度較大且外延層的表面能與界面能之和大于襯底的表面能，則外延生長為島狀的VW模式；（3）當外延層的表面能與界面能之和，在開始時小于襯底的表面能，則外延層初始為2D層狀生長（浸潤層），隨著浸潤層厚度的增加，體系的應變能也在增加，當浸潤層厚度達到一臨界值時，則由平面生長轉(zhuǎn)變?yōu)閸u狀生長，即形成量子點。這時，應變發(fā)生弛豫，應變能減小，表面能增加，總能量減小，這就是S-K生長模式。所以說量子點的形成是應變能弛豫的一種方式，用這種方法可以獲得無位錯、尺寸較均勻的量子點，即所謂的自組織量子點。
QDIP 的主要結(jié)構(gòu)編輯
簡單InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)
InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)是QDIP 研究初期常見的一種結(jié)構(gòu)，它的特點是結(jié)構(gòu)簡單，生長操作容易，理論基礎豐富，經(jīng)常用于QDIP 理論的實驗論證。缺點是受帶隙的影響，探測率很難得到繼續(xù)提高。目前，這一結(jié)構(gòu)的
QDIP 的探測率不超過1010 cmHz1/2W-1，探測波長一般在4~13 μm 范圍內(nèi)。
引入AlGaAs 電流阻擋層結(jié)構(gòu)
引入AlGaAs 暗電流阻擋層結(jié)構(gòu)是InAs(InGaAs)/GaAs 結(jié)構(gòu)的改進型，它的理論基礎是AlGaAs 阻擋層對暗電流的阻擋效果大于對光電流的阻擋效果。如果設計得當，AlGaAs 阻擋層確實可以起到減小暗電流同時對光電流也影響不大的效果，但是由于暗電流和光電流具有相同的電子躍遷通道，所以一般情況下是很難使兩種效果同時達到的。
引入InGaAs 應力緩解層結(jié)構(gòu)
引入InGaAs 應力緩解層結(jié)構(gòu)主要研究單位是南加州大學。引入InGaAs 應力緩解層有兩個好處，一方面，引入InGaAs 應力緩解層可以有效減小量子點和隔離層的內(nèi)部應力，減少了缺陷，提高了晶體質(zhì)量，從而可以增加光電響應；另一方面，在量子點上面覆蓋一層InGaAs 等于是在量子點的一側(cè)插入一個量子阱，該量子阱不但可以降低量子點內(nèi)激發(fā)態(tài)的能量，從而降InAs 低暗電流，而且還可以為電子提供量子阱內(nèi)的電子能級，電子可以從量子點內(nèi)的能級先躍遷到量子阱內(nèi)，然后隧穿出隔離層形成光電流。
Dots-in-a-well (DWELL) 結(jié)構(gòu)
DWELL 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國新墨西哥大學。DWELL 結(jié)構(gòu)紅外探測器是目前研究的比較有前景的一類。DWELL 結(jié)構(gòu)兩個優(yōu)點：一是通過引入量子阱可以降低量子點內(nèi)電子的能級，從而降低暗電流，二是通過改變量子阱的寬度和量子點在量子阱內(nèi)的不對稱性可以方便地調(diào)節(jié)響應波長。本文在這些研究基礎上進一步研究了該結(jié)構(gòu)的器件性能和理論模擬方法。
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)
InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)的主要研究單位為美國西北大學。InAs/InGaP 結(jié)構(gòu)QDIP 目前具有QDIP 中的zui高探測率，而且也實現(xiàn)了FPA的紅外成像。由于InAs 和InGaP 具有較大的導帶差，所以電子從量子點內(nèi)的束縛態(tài)躍遷到隔離層的連續(xù)態(tài)需要很大的能量，所以該類型探測器具有近紅外和中紅外的探測波長，同時熱激發(fā)電子導致的暗電流也很小，這造成了該探測器具有高的近、中紅外探測率。
QDIP 的測試編輯
光致發(fā)光譜或光熒光（PL）是研究QDIP的基礎手段之一。在說明PL測試之前，先需要說明傅立葉光譜儀的測試原理。邁克爾遜干涉儀是現(xiàn)代傅里葉變換光譜儀的核心部件，它是一種振幅分割的雙光束干涉系統(tǒng)，如圖2.4所示，具有以下特點：兩光束的光程差易于改變；光路中使用分光板，入射光的一半經(jīng)固定鏡，另一半經(jīng)運動鏡反射；環(huán)狀干涉條紋一直延伸到無窮遠處；等厚干涉條紋則是由于兩個鏡子間的光學聯(lián)xi引起的，在調(diào)節(jié)儀器時必須注意到這兩種干涉條紋。根據(jù)邁克爾遜干涉儀運動鏡的移動（即光程差），我們就可獲得干涉圖，然后經(jīng)傅立葉變換，就得到了我們所看到的光譜分布。同時，我們還可以看到得到的光譜分還只與光的調(diào)制部分有關(guān)，與不發(fā)生調(diào)制的部分無關(guān)。半導體量子點的發(fā)光主要是指輻射復合光發(fā)射，它是除熱平衡的黑體輻射以外的第部分光輻射，是光吸收過程的逆效應。光吸收（或稱光激發(fā)）導致的光發(fā)射常稱為光致發(fā)光或光熒光（PL），其測量原理是：當激發(fā)光源發(fā)出hv > Eg 的光照射到被測樣品表面時，由于激發(fā)光在材料中的吸收系數(shù)很大（通常大于104 cm-1），通過本征吸收，在材料表面約1 μm以內(nèi)的區(qū)域里激發(fā)產(chǎn)生大量的電子－空穴對，使樣品處于非平衡態(tài)。這些非平衡載流子一邊向體內(nèi)擴散，一邊發(fā)生復合。通過擴散，發(fā)光區(qū)將擴
展到深入體內(nèi)約一個少子擴散長度的距離。電子－空穴對通過不同的復合機構(gòu)進行復合，其中的輻射復合就發(fā)出疊加在熱平衡輻射上的光發(fā)射，稱為熒光。熒光在逸出表面之前會受到樣品本身的自吸收。熒光逸出表面之后，會聚進入單色儀分光，此后經(jīng)探測器接收轉(zhuǎn)變成電信號并進行放大和記錄，從而得到發(fā)光強度按光子能量分布的曲線，即光致發(fā)光譜。

德國BERTHOLD 40435-01

德國BERTHOLD 40435-01