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東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號HC3600M
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地東莞市
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更新時間:2019-02-12 14:53:14瀏覽次數(shù):680次
聯(lián)系我時,請告知來自 智慧城市網(wǎng)低內(nèi)阻電源30V8A場效應(yīng)管 MOS管N溝道
N溝道場效應(yīng)管,內(nèi)阻22mR,超低結(jié)電容445pF, 封裝:貼片(SOT23-3),低開啟電壓1.5V,超低結(jié)電容,低內(nèi)阻,超低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強
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HC3600M 一盤3000,*,貨源充足,量大價格更實惠
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深圳惠海半導(dǎo)體有限公司【中低壓MOS管廠家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場效應(yīng)管NMOS管 *,質(zhì)優(yōu)價廉 大量現(xiàn)貨 量大價優(yōu) 歡迎選購,超低內(nèi)阻,結(jié)電容超小,采用溝槽工藝,性能*,
東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)20-150V系列中低壓NMOS管場效應(yīng)管封裝制造、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售
型號:HC3600M參數(shù):30V8A ,類型:N溝道場效應(yīng)管,內(nèi)阻22mR,超低結(jié)電容445pF, 封裝:貼片(SOT23-3),低開啟電壓1.5V,超低結(jié)電容,低內(nèi)阻,超低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強
低內(nèi)阻電源30V8A場效應(yīng)管 MOS管N溝道
低內(nèi)阻電源30V8A場效應(yīng)管 MOS管N溝道
更多型號如下:
型號:HC160N10L N溝道場效應(yīng)管 100V10A(10N10) TO-252封裝,可用于霧化器、車燈電源等
型號:HC080N10L N溝道場效應(yīng)管 100V17A(17N10)TO-252封裝,可用于加濕器、車燈電源等
型號:HC021N10L N溝道場效應(yīng)管 100V35A (35N10)TO-252封裝
型號:HC080N10LS N溝道場效應(yīng)管 100V15A SOP-8封裝
型號:HC15N10 N溝道場效應(yīng)管 100V15A(15N10)TO-252封裝,可用于加濕器、車燈電源等
型號:HC012N06L N溝道場效應(yīng)管 60V50A(50N06 )TO-252封裝,汽車燈電源、電機驅(qū)動、控制器等
型號:HC012N06LS N溝道場效應(yīng)管 55V50A SOP-8封裝
型號:HC037N06L N溝道場效應(yīng)管 60V30A(30N06)TO-252封裝,可用于加濕器、霧化器、香薰機、美容儀
型號:HC037N06LS N溝道場效應(yīng)管 60V30A SOP-8封裝
型號:HC080N06L N溝道場效應(yīng)管 60V15A 15N06 TO-252封裝
型號:HC080N06LS N溝道場效應(yīng)管 60V6A SOT23-3封封裝
型號:HC080N06LSS N溝道場效應(yīng)管 60V10A SOP-8封裝
型號:HC020N03L N溝道場效應(yīng)管 30V30A TO-252
型號:HC3600M N溝道場效應(yīng)管 30V8A SOT23-3封裝
型號:HC3400M N溝道場效應(yīng)管 30V5.8A SOT23-3封裝
型號太多,無法一一列出來,具體可以上惠海半導(dǎo)體網(wǎng)看或者來電,給您帶來不便敬請諒解,謝謝
東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司
惠海半導(dǎo)體專業(yè)中低壓MOS管行業(yè)10年,經(jīng)驗豐富,實力雄厚,惠海,可以做月結(jié)30天,惠海半導(dǎo)體是您值得信賴合作的實力中低壓MOS場效應(yīng)管供應(yīng)商
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Mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
當(dāng)MOS電容的柵極(Gate)相對于襯底(BACKGATE)正偏置時發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了,有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,反轉(zhuǎn)的硅層叫做溝道(channel)。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高,越來越多的電子在表面積累,channel變成了強反轉(zhuǎn)。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時,不會形成channel。所以MOS是電壓控制型器件。
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