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北京航天縱橫檢測儀器有限公司
本標準規定了在15Hz?300MHz的頻率范圍內測量電容率、介質損耗因數的方法,并由此計算某些數值,如損耗指數。本標準中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測量。
介電常數測試儀適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結果與某些物理條件有關,例如頻率、溫度、濕度,在特殊情況下也與電場強度有關。
有時在超過1000V的電壓下試驗,則會引起一些與電容率和介質損耗因數無關的效應,對此不予論
GB/T1409—2006代替GB/T1409—1988 |
ZJD-B | ZJD-C | |
測試頻率范圍 | 10kHz~70MHz | 100kHz~160MHz |
主調電容控制 | 傳感器 | 步進馬達 |
電容搜索 | 無 | 有 |
ZJD-B | ZJD-C | |
頻率范圍 | 10kHz~10MHz | 100kHz~10MHz |
固有誤差 | ≤5%±滿度值的2% | ≤5%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7%±滿度值的2% | ≤7%±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz~70MHz | 10MHz~160MHz |
固有誤差 | ≤6%±滿度值的2% | ≤6%±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8%±滿度值的2% | ≤8%±滿度值的2% |
ZJD-B | ZJD-C |
14.5nH~8.14H | 4.5nH~140mH |
ZJD-B | ZJD-C | |
直接測量范圍 | 1~460p | 1~202p |
主電容調節范圍 | 40~500pF | 18~220pF |
準確度 | 150pF以下±1pF;150pF以上±1% | 150pF以下±1pF150pF以上±1% |
ZJD-B | ZJD-C | |
頻率范圍 | 10kHz~70MHz | 0.1~160MHz |
CH1 | 10~99.9999kHz | 0.1~0.999999MHz |
CH2 | 100~999.999kHz | 1~9.99999MHz |
CH3 | 1~9.99999MHz | 10~99.9999MHz |
CH4 | 10~70MHz | 100~160MHz |
頻率指示誤差 | 3×10-5±1個字 |
(1) | 極間法向電容(單位:皮法和厘米)(2) | 邊緣電容的校正(單位:皮法和厘米)(3) |
1.有保護環的圓盤狀電極 | ||
2.沒有保護環的圓盤狀電極 | ||
a)電極直徑=試樣直徑 | ||
b)上下電極相等,但比試樣小 | 其中:ε1 是試樣相對電容率的近似值,并且a≤h |
(1) | 極間法向電容(單位:皮法和厘米)(2) | 邊緣電容的校正(單位:皮法和厘米)(3) |
c)電極直徑=試樣直徑 | 其中:ε1 是試樣相對電容率的近似值,并且a≤h | |
3.有保護環的圓柱形電極 | ||
4.沒有保護環的圓柱形電極 | ||
其中:ε1 是試樣相對電容率的近似值 |
試樣電容 | 注 | 符號定義’ |
1.并聯一個標準電容器來替代試樣電容 | CP——試樣的并聯電容△C——取去試樣后,為恢復平衡時的標準電容器的電容增量Cr——在距離為r時,測微計電極的標定電容Cs——取去試樣后,恢復平衡,測微計電極間距為s時的標定電容Cor,Coh——測微計電極之間試樣所占據的,間距分別為r或h的空氣電容。可用表1中的公式1來計算r——試樣與所加電極的厚度h——試樣厚度相對電容率: | |
CP=△C+Cor | 試樣直徑至少比測微計電極的直徑小2r。在計算電容率時必須采用試樣的真實厚度h和面積A。 | |
2.取去試樣后減少測微計電極間的距離來替代試樣電容 | ||
CP=Cs-Cr+Cor | 試樣直徑至少比測微計電極的直徑小2r。在計算電容率時必須采用試樣的真實厚度h和面積A。 | |
3.并聯一個標準電容器來替代試樣電容當試樣與電極的直徑同樣大小時,僅存在一個微小的誤差(因電極邊緣電場畸變引起0.2%?0.5%的誤差),因而可以避免空氣電容的兩次計算。 | ||
CP=△C+Coh | 試樣直徑等于測微計電極直徑,施于試樣上的電極的厚度為零。 |
相對電容率(1) | 介質損耗因數(2) | 符號意義(3) |
1.測微計電極(在空氣中) | ||
若ho 調到一個新值h'o,而△C=0時 | tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ | △C——試樣插人時電容的改變量(電容增加時為+號)C1——裝有試樣時的電容C1——僅有流體時的電容,其值為εr•CoCo——所考慮的區域上的真空電容,其值為εo•A/h0A——試樣一個面的面積,用 厘米2表示(試驗的面積大于等于電極面積時)ε1——在試驗溫度下的流體相對電容率(對空氣而言εr =1. 00)ε0——電氣常數用皮法/厘米表示△tanδ——試樣插入時,損耗因數的增加量tanδc——裝有試樣時的損耗因數tanδx試樣的損耗因數的計算值d0——內電極的外直徑 d1——試樣的內直徑 d2試樣的外直徑d3——外電極的內直徑 h0——平行平板間距h——試樣的平均厚度M——h0 /h—1lg――常用對數注;在二流體法的公式中,腳注1和2分別表示種和第二種流體。 |
2. 平板電極——流體排出法 | ||
tanδx= tanδc +M·εr·△tanδ | ||
當試樣的損耗因數小于1時,可以用下列公式: | ||
3. 圓柱形電極——流體排出法(用于tanδ小于0.1時) | ||
4. 二流體法——平板電極(用于tanδx小于0. 1時) | ||
1——測微計頭; | 6——微調電容器; |
2——連接可調電極(B)的金屬波紋管; | 7——接檢測器; |
3——放試樣的空間(試樣電容器M1; | 8——接到電路上; |
4——固定電極(A); | 9——可調電極(B)。 |
5——測微計頭; |
1——內電極; | 1——把柄; |
2——外電極; | 5——棚硅酸鹽或石英墊圈; |
3——保護環; | 6——硼硅酸鹽或石英墊圈。 |
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