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Ag/Ga_2O_3,Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)廠家

西安齊岳生物科技有限公司生產(chǎn)合成納米材料；聚合物；PEG衍生物;樹枝狀化合物；載藥顆粒；我公司自產(chǎn)的產(chǎn)品純化純度98%+以上并可以提供液相圖譜來佐證純度，并且提供相關(guān)指導(dǎo)服務(wù)。

齊岳生物供應(yīng)以下產(chǎn)品：

ZnO/g-C_3N_4納米復(fù)合材料
ZnO/CdS納米陣列
三維花狀氧化鋅基異質(zhì)結(jié)光催化材料
Ag/Ga_2O_3,Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)
Ag/g-C_3N_4/Zn O光催化劑
海膽狀A(yù)g/g-C_3N_4/ZnO三元復(fù)合光催化材料
納米ZnO/電氣石復(fù)合粉體
ZnO-TiO2納米纖維
SnO2/ZnO復(fù)合光催化劑
ATP/ZnO納米復(fù)合材料,
硫化鎘/Ru(Ⅱ)配合物復(fù)合敏化ZnO納米晶多孔膜電極
CNT負載的錳氧化物復(fù)合材料MnO_χ/CNT
離子篩氧化錳HMnO(Mg)
FeS_2/rGO和FeS_2/MWCNTs復(fù)合材料
的碟型γ-MnO2納米六方片
尖晶石型Mg-Al復(fù)合氧化物(MgAl2O4)納米棒
納米晶Mg-Al水滑石
Mg(OH)_2納米晶
MnOx/SAPO-11催化劑
MnO2-CeO2/Zr0.25Ti02l0.5O1.75整體式催化劑
MnO_2/煤基石墨烯納米復(fù)合材料
聚吡咯/MnO2復(fù)合物修飾三維石墨烯復(fù)合材料
α-MnO2/石墨烯納米復(fù)合物
納米石墨片(GNPs)/MnO2復(fù)合材料
一種石墨烯/MnO2/共軛聚合物復(fù)合材料
CoOOH/MnO2/石墨烯復(fù)合材料
α-MnO2-CNTs-GO復(fù)合材料

Ag/Ga_2O_3,Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)廠家

我們以具有d10電子結(jié)構(gòu)的含Ga氧化物為研究對象,通過采用摻雜不同類型的離子或表面負載貴金屬的方式來控制光生電子和空穴的復(fù)合效率,并且從光生電子和空穴的分離與復(fù)合的角度分析余輝性質(zhì)與光催化性能的內(nèi)在關(guān)聯(lián)。具體的研究內(nèi)容主要包括以下三個方面:采用高溫固相法制備了ZnGa_2O_4,ZnGa_2O_4:Dy~(3+)0.02和ZnGa_2O_4:Eu~(3+)0.02長余輝發(fā)光材料。光催化實驗結(jié)果顯示在ZnGa_2O_4基質(zhì)中摻雜Eu~(3+)會減弱光催化活性而摻雜Dy~(3+)會光催化活性。經(jīng)過測試掃描電鏡發(fā)現(xiàn)Dy~(3+),Eu~(3+)的摻雜并沒有改變樣品的形貌,并且當處在同一基質(zhì)的情況下時,不會存在其他的干擾因素而導(dǎo)致出現(xiàn)不同的光催化現(xiàn)象,于是我們分析可能是由于Dy~(3+),Eu~(3+)離子的分別摻雜使得ZnGa_2O_4基質(zhì)陷阱能級中俘獲的光生載流子數(shù)量發(fā)生變化。光致發(fā)光測量顯示與基質(zhì)比較Eu~(3+)摻雜出現(xiàn)了613 nm的紅色發(fā)射峰,這說明Eu~(3+)離子摻雜在基質(zhì)中作為復(fù)合中心,然而Dy~(3+)摻雜沒有出現(xiàn)新的發(fā)光,可能作為陷阱中心存在于基質(zhì)中。熱釋光測試摻雜Dy~(3+)會增加陷阱濃度,而Eu~(3+)的摻雜減少陷阱濃度。同時,摻雜Dy~(3+)會余輝發(fā)光性能,而Eu~(3+)的摻雜會減弱余輝發(fā)光性能。所以,我們認為在ZnGa_2O_4中,在紫外光激發(fā)下形成電子空穴對,這些電子空穴對通過Eu~(3+)發(fā)光中心復(fù)合而消失,從而導(dǎo)致光催化性能減弱。在Dy~(3+)摻雜的材料中,由于存在多陷阱能級,當紫外光激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對時,陷阱能級可能陷住其中的電子或空穴導(dǎo)致電子空穴的分離,從而光催化性能。采用高溫固相法制備了ZnGa_2O_4:x Ti(x=0,0.01,0.025,0.05)長余輝發(fā)光材料。XRD顯示Ti4+離子的摻雜沒有改變ZnGa_2O_4的晶體結(jié)構(gòu),Ti4+離子的摻雜主要取代ZnGa_2O_4中的Ga~(3+)離子。隨著Ti含量的增加,樣品的光致發(fā)光強度逐漸減弱,而余輝性能得到了的,這可以歸因于Ti4+離子的摻雜形成了新的陷阱。同時光催化測試表明Ti4+離子的摻雜能夠光催化活性。Ti4+摻雜產(chǎn)生的新陷阱延長了光生電子與空穴復(fù)合的時間,從而光催化性能和展示出的余輝性能。同時對材料的長余輝性能和光催化性能之間的關(guān)聯(lián)做了討論。采用光化學(xué)還原法合成了Ag/Ga_2O_3,Ag/ZnO納米結(jié)構(gòu)。樣品的XRD表明在紫外光的照射下成功的將Ag+還原成Ag。通過測量樣品的X射線光電子能譜和觀察掃描電鏡圖片進一步確認產(chǎn)生了Ag納米顆粒,并且Ag分別生長在Ga_2O_3和ZnO的表面,形成了金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)。光催化性能測試顯示與Ga_2O_3和ZnO相比,Ag/Ga_2O_3和Ag/ZnO都表現(xiàn)出的光催化性能,在金屬-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中,由于電子擴散在接觸面形成肖特基勢壘或歐姆接觸,有利于分離光生電子和空穴,從而光催化性能。