Bi2Se3硒化鉍拓撲緣體單晶體，供應(yīng)
產(chǎn)品：磁性拓撲緣體/Bi2Te2Se拓撲緣體納米帶/Bi2Te3碲化鉍拓撲緣體/Bi基拓撲緣體
Bi2Se3硒化鉍拓撲緣體單晶體，供應(yīng)
產(chǎn)品供應(yīng)列表：
拓撲緣體Bi0.05Sb1.95Te3納米片
二維拓撲緣體
拓撲緣體薄膜
拓撲緣體微粒
拓撲緣體HgTe納米材料
半Heusler型拓撲緣體LaPtBi
三維拓撲緣體
拓撲緣體(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜
拓撲緣體Sb2Te3薄膜
Cr摻雜拓撲緣體Bi2Se3塊
Cu2Se為基底的納米拓撲緣體材料
CuxBi2Se3拓撲緣體
Cr摻雜BixSbyTe3晶體
Cr摻雜Bi2Se3
Fe摻雜Bi2Se3
Cr0.1(Bi0.1Sb1-0.1)2-0.1Te3撲緣體量子阱薄膜的材料
產(chǎn)品說明：
拓撲緣體是一種具有新奇量子性質(zhì)的物質(zhì)狀態(tài)，物理學(xué)的重要科 拓撲緣體(2張) 學(xué)前沿之一。根據(jù)能帶理論，傳統(tǒng)上固體材料可以按照其導(dǎo)電性質(zhì)分為緣體、導(dǎo)體和半金屬，其中緣體材料在其費米能處存在著有限大小的能隙，因而沒有自由載流子；金屬材料在費米能級處存在著有限的電子態(tài)密度，進而擁有自由載流子；半導(dǎo)體材料在費米能處沒有能隙，但是費米能級處的電子態(tài)密度仍然為零。而拓撲緣體是一類的緣體，從理論上分析，這類材料的體內(nèi)的能帶結(jié)構(gòu)是的緣體類型，在費米能處存在著能隙，然而在該類材料的表面則總是存在著穿越能隙的狄拉克型的電子態(tài)，因而導(dǎo)致其表面總是金屬性的。拓撲緣體這一的電子結(jié)構(gòu)，是由其能帶結(jié)構(gòu)的拓撲性質(zhì)所決定的。
從理論上說，拓撲緣體是由電荷的U(1)對稱性以及時間反演對稱性共同保護的拓撲態(tài)。只要U(1)對稱性和時間反演對稱性同時存在，拓撲緣體的邊緣態(tài)是非平庸的，并且，這樣的邊緣態(tài)對不能在有同樣對稱性的低維度系統(tǒng)中實現(xiàn)。在理論上人們已經(jīng)意識到，其他的對稱性同樣可以保護類似的拓撲緣體（或者拓撲導(dǎo)體，取決于對稱性中是否包括電荷的U(1)對稱性）。并且，從2009年以來，人們已經(jīng)對沒有相互作用的費米子系統(tǒng)的拓撲緣體或者拓撲導(dǎo)體進行了成功分類。2011年以來，拓撲緣體的概念已經(jīng)被拓展成為一個更為寬泛的概念：symmetry protected topological states. 凝聚態(tài)理論物理學(xué)界已經(jīng)對各個維度的玻色子系統(tǒng)中的symmery protected topological states進行了較為分類。但是對于維度的有強相互作用的費米子系統(tǒng)中symmetry protected topological states的分類還沒有后完成。
溫馨提示：用于科研哦！（wyf2020.04.10）
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