硫化鉍晶體 二維材料
摘要：一種硫化鉍化合物晶體及其制備方法屬于無機材料合成領域,所述的硫化鉍化合物晶體的化學式為BiS,為立方晶系晶體.制備方法為:將三硫化二鉍粉末制成圓形樣品;將NaCl顆粒烘干后制成兩片NaCl薄片;將NaCl薄片和三硫化二鉍圓形樣品放入金剛石對頂砧樣品腔形成三明治式結構;加壓至32.6GPa;加溫至1500K,保持15分鐘;卸壓降溫至常溫常壓,得到硫化鉍晶體BiS.*在實驗上在高溫高壓條件下,采用固相反應法獲得化學計量比及晶型的硫化鉍樣品,此種結構簡單的硫鉍體系化合物在拓撲性質和熱電性能方面具有潛在的應用.
硫化鉍晶體 二維材料
晶體大小： 5~10 mm
晶體種類： Semiconductor
純度： >99.999 %
表征方法： EDS，SEM，Raman
禁帶寬度： 1.4eV
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