二硫化鉬晶體 二維材料
摘要：自半導體晶體管至今,硅基場效應晶體管的尺寸不斷減小,帶來器件速度與集成度的.硅基器件在90nm節點之后面臨的挑戰越來越多,新材料新工藝的使用才滿足器件在過去十幾年依然能延續其尺寸不斷減小的需求.以摩爾定律為指導的半導體產業已經進入了亞10nm節點.根據半導體器件線路圖(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)提供的亞7nm半導體器件互補金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)顯示,后硅時代的新溝道材料成為延續摩爾定律的重要手段.理論計算表明減薄溝道厚度是器件尺寸繼續減小的基礎.基于材料量子效應,傳統的三維體材料很難將厚度降5nm以下.而二維半導體材料其本征低于1nm的薄體厚度使得其在未來器件應用中展現出了潛力
二硫化鉬晶體 二維材料
西安齊岳生物科技有限公司可以提供以下二維晶體材料：HfTe2 碲化鉿晶體、HfSe2 硒化鉿晶體、HfS2 硫化鉿晶體、GeSe 硒化鍺晶體、GaTe晶體、GaSe 硒化鎵晶體、Fe3GeTe2晶體、CuS 晶體、CdI2晶體>10平方毫米、BiTe晶體>10平方毫米、BiSe 晶體、硫化鉍 Bi2S3 晶體、Bi2O2Te 晶體、AgCrSe2晶體、hBN 六方氮化硼晶體；我們提供的產品用于科研，不能，也提供二維晶體粉末材料.
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