摻釔氧化鋯（YSZ）晶體基片
摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片是早應用于高溫導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學、成本低的特點。由于氧化鋯材料具有高硬度，高強度，高韌性，的性及耐化學腐蝕性等等的物化性能，氧化鋯已經在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學、航空航天、生物、化學等等領域獲得的應用。
主要性能參數 | |
晶體結構 | 立方 |
晶格常數 | a=5.147 Å |
熔點（℃） | 2700 |
密度（g/cm3） | 6.0 |
硬度 | 8-8.5（mohs） |
純度 | 99.99% |
熱膨脹系數（/℃） | 10.3×10-6 |
介電常數 | ε=27 |
生長方法 | 弧熔法 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <001>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（要求可達1°以內） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
供應產品目錄：
| MoWS2 鉬鎢硫晶體 | MoWS2 crystals |
| MoS2 二硫化鉬晶體 (小尺寸>10mm*10mm） | MoS2 crystals |
| MoS2 二硫化鉬晶體 (中尺寸>15mm*15mm) | MoS2 crystals |
| MoS2 二硫化鉬晶體 (大尺寸>20mm*20mm) | MoS2 crystals |
| MnPS3 晶體 | MnPS3 crystals |
| HfS2 硫化鉿晶體 | HfS2 (Hafnium Disulfide) |
| CuS 晶體 | CuS crystals |
| SnS2 二硫化錫晶體 | (Tin Disulfide) |
| TaS2 (2H-phase) 2H-二硫化鉭晶體 | TaS2 (2H-phase) |
| MoS2 二硫化鉬晶體（合成） | MoS2 crystals |
| PbSnS2 硫化錫鉛 | PbSnS2 crystals |
| ZrS3 三硫化鋯晶體 | ZrS3 crystals |
| Sb2S3 硫化銻晶體 | (Antimony sulfide) |
| FePS3 硫化磷鐵晶體 | FePS3 crystals |
| SnS crystals 硫化錫晶體 | SnS crystals |
| TaS2 (1T-phase) 1T-二硫化鉭晶體 | TaS2 (1T-phase) |
| MnPS3 硫化磷錳晶體 | MnPS3 crystals |
| Sb2OS2 硫化氧銻晶體 | Sb2OS2 crystals |
| TlInS2 硫化銦晶體 | TlInS2 crystals |
| TlGaS2 硫化鎵晶體 | TlGaS2 crystals |
| GeS 硫化鍺晶體 | (Germanium Sulphide) |
| p-type WS2 crystals P型二硫化鎢晶體 | p-type WS2 crystals |
| GaS 硫化鎵晶體 | (Gallium Sulfide) |
| HfS2 二硫化鉿晶體 | (Hafnium Disulfide) |
| WS2 二硫化鎢晶體 | (Tungsten Disulfide) |
| ReS2 二硫化錸晶體 | (Rhenium Disulfide) |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.23
摻釔氧化鋯（YSZ）晶體基片
智慧城市網