鎵酸釹（NdGaO3）晶體基片
NdGaO3是近十年中發(fā)展起來(lái)的基片，主要用作高溫導(dǎo)體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長(zhǎng)用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且無(wú)結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長(zhǎng)質(zhì)量的薄膜。
主要性能參數(shù) | |
晶體結(jié)構(gòu) | 正交 |
晶胞參數(shù)Å | a=5.43、b=5.50、c=7.71 |
熔點(diǎn) | 1600℃ |
密度 | 7.57g/cm3 |
介電常數(shù) | 25 |
生長(zhǎng)方法 | 提拉法 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | ＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（要求可達(dá)1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
供應(yīng)產(chǎn)品目錄：
| 摻鎢(W)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 |
| 摻鐵(Fe)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 |
| 摻鉭(Ta)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 |
| 摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 |
| 摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 |
| 摻錸(Re)MoSe2晶體 |
| MoSe2 二硒化鉬晶體 |
| 摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體 |
| MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米 |
| In2Se3晶體 |
| In2P3Se9 晶體 |
| HfTe5晶體 |
| HfTe2 碲化鉿晶體 |
| HfSe2 硒化鉿晶體 |
| HfS2 硫化鉿晶體 |
| GeSe 硒化鍺晶體 |
| GaTe晶體 |
| GaSe 硒化鎵晶體 |
| Fe3GeTe2晶體 |
| CuS 晶體 |
| CdI2晶體>10平方毫米 |
| BiTe晶體>10平方毫米 |
| BiSe 晶體 |
| 硫化鉍 Bi2S3 晶體 |
| Bi2O2Te 晶體 |
| AgCrSe2晶體 |
| hBN 六方氮化硼晶體 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
鎵酸釹（NdGaO3）晶體基片
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