鉭酸鉀(KTaO3)晶體基片
鉭酸鉀( KTaO3, 簡稱 KT) 單晶具有穩(wěn)定的立方結(jié)構(gòu)，可用于制作激光調(diào)制器、數(shù)字式偏轉(zhuǎn)器及半導(dǎo)體器件.由于該晶體從零度至其熔點(diǎn)( 1645K) 溫度范圍內(nèi)無相變，且其晶 胞參數(shù)與釔鋇銅氧系導(dǎo)體匹配甚好，有希望用作導(dǎo)體薄膜的村底材料.
鉭酸鉀( KTaO3, 簡稱 KT)
鉭酸鉀( KTaO3, 簡稱 KT)單晶具有穩(wěn)定的立方結(jié)構(gòu)，可用于制作激光調(diào)制器、數(shù)字式偏轉(zhuǎn)器及半導(dǎo)體器件.由于該晶體從零度至其熔點(diǎn)( 1645K) 溫度范圍內(nèi)無相變，且其晶 胞參數(shù)與釔鋇銅氧系導(dǎo)體匹配甚好，有希望用作導(dǎo)體薄膜的村底材料.
分 子 式 | KTaO3 (KT) |
點(diǎn)群 | m3m |
晶胞參數(shù) | 0.3984nm |
熔 點(diǎn) | 1352.2℃ |
密 度 | 7.025 g/cm3 |
莫氏硬度 | 6 |
生長方法 | 提拉法 |
射 率 | 2.226@633nm, 2.152@1539nm |
熱膨脹系數(shù) | 4.027*10-6/K) |
比熱(室溫JK-1g-1) | 0.378 |
透明波段(nm) | 380~4000 |
常規(guī)晶向 | <100>;<110>;<111> |
常規(guī)尺寸 | 20x20x0.5mm;10x10x0.5mm,5x5x0.5mm,或按照客戶要求加工 |
拋光 | 單拋,雙拋, Ra< 5A |
供應(yīng)產(chǎn)品目錄：
| PbI2晶體 | >25平方毫米 |
| Ni2SiTe4晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| NbTe2 晶體 | >50平方毫米 |
| MoWSe4 鉬鎢硒晶體 | >50平方毫米 |
| MoWS2 鉬鎢硫晶體 | >10平方毫米 |
| MoTe2 二碲化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| MoSSe 鉬硫硒晶體 | >50平方毫米 |
| 摻鎢(W)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 |
| 摻鐵(Fe)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| 摻鉭(Ta)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| 摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| 摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >50平方毫米 |
| 摻錸(Re)MoSe2晶體 | >50平方毫米 |
| MoSe2 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 |
| 摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米 | >50平方毫米 |
| In2Se3晶體 | >10平方毫米 |
| In2P3Se9 晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe5晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe2 碲化鉿晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| HfSe2 硒化鉿晶體 | >50平方毫米 |
| HfS2 硫化鉿晶體 | >25平方毫米 |
| GeSe 硒化鍺晶體 | >25平方毫米 |
| GaTe晶體 | >10平方毫米 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
鉭酸鉀(KTaO3)晶體基片
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