氮化鎵（GaN）薄膜基片晶體
GaN具有寬的直接帶隙，強的原子鍵，高的熱導率等性質和強的抗輻照能力，不是短波長光電子材料，也是高溫半導體器件的換代材料，GaN體系可以用來制備藍、綠光LED，藍紫、紫外光LD、紫外探測器以及高頻大功率電子器件。
供應產品目錄：
尺寸Dimensions | 10.0mm×10.5mm | 14.0mm×15.0mm |
孔洞密度Marco Defect Density | A Level | 0 cm-2 |
| B Level | ≤ 2 cm-2 |
厚度Thickness | Rank 300 | 300 ± 25 µm |
| Rank 350 | 350 ± 25 µm |
| Rank 400 | 400 ± 25 µm |
晶體取向Orientation | C-axis(0001) ± 0.5° | |
TTV(Total Thickness Variation) | ≤15 µm | |
彎曲度BOW | ≤20 µm | |
導電類型Conduction Type | N-type | Semi-Insulating |
電阻率Resistivity(300K) | < 0.5 Ω·cm | >106 Ω·cm |
位錯密度Dislocation Density | Less than 5x106 cm-2 | |
面積Useable Surface Area | > 90% | |
拋光Polishing | Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished Back Surface: Fine ground | |
供應產品目錄：
| NiTe2晶體 | >10平方毫米 |
| NiTe晶體 | >25平方毫米 |
| Pb2Bi2Se5晶體 | >50平方毫米 |
| Pb2Bi2Te5晶體 | >25平方毫米 |
| PbBi4Te7晶體 | >50平方毫米 |
| PbBi6Te10晶體 | >10平方毫米 |
| PbSb2Te4晶體 | >25平方毫米 |
| PbSe晶體 | >25平方毫米 |
| PbS晶體 | >10平方毫米 |
| Sb2Te2Se晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| Sb2TeSe2晶體 | >25平方毫米 |
| Sb2Te晶體 | >10平方毫米 |
| Sb16Te3晶體 | >25平方毫米 |
| SiTe2晶體 | >10平方毫米 |
| SnBi2Te4晶體 | >50平方毫米 |
| SnBi4Te7晶體 | >50平方毫米 |
| SnPS3晶體 | >10平方毫米 |
| SnPSe3晶體 | >25平方毫米 |
| TaCo2Te2晶體 | >50平方毫米 |
| TaNi2Te2晶體 | >10平方毫米 |
| TaNi2Te3晶體 | >25平方毫米 |
| V2NiSe4晶體 | >25平方毫米 |
| Zr5Te4晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
氮化鎵（GaN）薄膜基片晶體
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