SiC單晶 (6H-SiC,4H-SiC )薄膜基片晶體
SiC單晶具有許多的性質(zhì)，熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強(qiáng)等，適合于制備高頻率、高功率、以及耐輻照的電子器件。
主要性能參數(shù) | |
生長方法 | 籽晶升華法 ,PVT（物相傳輸） |
晶體結(jié)構(gòu) | 六方 |
晶格常數(shù) | a=3.08 Å c=15.08 Å |
密度 | 3.21 g/cm3 |
方向 | 生長軸或 偏<0001> 3.5 º |
帶隙 | 3.26 eV (間接) |
硬度 | 9.2（mohs） |
熱傳導(dǎo)@300K | 5 W/ cm.k |
介電常數(shù) | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| Dia2",Di3",Dia4" |
厚度 | 0.35mm， |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <0001>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（要求可達(dá)1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
供應(yīng)產(chǎn)品目錄：
| 二維晶體材料 | 純度 |
| 人工二碲化鎢粉末（化學(xué)氣相傳輸法） | 99+ |
| 人工二碲化鉬粉末 | 99+ |
| 人工二碲化鉬粉末 | 99+ |
| 人工二硒化鉬MoSe2粉末 | 99+ |
| 人工二硒化鎢粉末 | 99+ |
| 人工二硒化鎢粉末 | 99+ |
| 人工二硫化鎢粉末 | 99+ |
| 人工二硫化鎢粉末 | 99+ |
| 人工二硫化鉬粉末 | 99+ |
| 人工二硫化鉬MoS2粉末 | 99+ |
| 二硫化鉬粉末 | 99+ |
| 二硫化鉬粉末 | 99+ |
溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
SiC單晶 (6H-SiC,4H-SiC )薄膜基片晶體
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