InAs單晶基片材料
InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 2～14μm的紅外發光器件，用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb晶格結構材料 ,制作中紅外量子級聯激光器。
InAs單晶基片
以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 2～14μm的紅外發光器件，用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb晶格結構材料 ,制作中紅外量子級聯激光器。.這些紅外器件在氣體監測、低損耗光纖通信等領域有的應用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯密度、 的晶格完整性、 合適的電學參數和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統液封直拉（LEC）。
晶體 | 結構 | 晶向 | 熔點 oC | 密度 g/cm3 | 禁帶寬度 |
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InAs | 立方, a=6.058 A | <100> | 942 | 5.66 | 0.45 |
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主要性能參數 | |||||||
單晶 | 摻雜 | 導電類型 | 載流子濃度 cm-3 | 遷移率(cm2/V.s) | 位錯密度(cm-2) | 標準基片 | |
InAs | 本征 | N | 5*1016 | 2*104 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
InAs | Sn | N | (5-20)*1017 | >2000 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
InAs | Zn | P | (1-20) *1017 | 100-300 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
InAs | S | N | (1-10)*1017 | >2000 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
尺寸（mm） | Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制方向和尺寸的襯底 | ||||||
表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A | ||||||
拋光 | 單面或雙面 | ||||||
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
InAs單晶基片材料
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