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二氧化硅(SiO2)光電晶體

SiO2單晶水晶片是一種的基片，用于無線通訊工業的微波濾波器。

主要性能參數
生長方法	水熱法
晶體結構	六方
晶格常數	a=4.914Å c=5.405 Å
熔點（℃）	1610℃（相轉變點：573.1℃）
密度	2.684g/cm³
硬度	7（mohs）
熱熔	0.18cal/gm
熱導率	0.0033cal/cm℃
熱電常數	1200uv/℃（300℃）
射率	1.544
熱膨脹系數	α11：13.71×10⁶/ ℃ α33：7.48×10⁶ /℃
Q值	1.8×10⁶min
聲速、聲表級	3160（m/sec）
頻率常數	1661（kHz/mm）
壓電偶合	K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向	Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范圍內旋轉任意值主定位邊：根據客戶要求定方向±30分次定位邊：根據客戶要求定方向籽晶：位于中心，寬度<5mm，高度>66mm
拋光面	外延拋光：單拋或雙拋Ra<10Å 工作區域：基片直徑-3mm 彎曲度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作區域無崩邊，在邊緣，崩邊寬度<0.5mm 坑和劃痕：每片<3，每100片<20
標準厚度	0.5mm±0.05mm TTV<5um
標準直徑	Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位邊：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位邊：10mm±1.5mm

供應產品目錄：

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