錳離子插層MXene Ti2C
西安齊岳生物經營著種類為的二維納米材料，我們用微機械剝離和液相剝離、化學氣相沉積，物相沉積和分子數外延方法以及其他方法制備二維納米材料，我公司可以提供的二維晶體種類包括有石墨烯、MXenes-Max，二維過渡金屬碳氮化物，二維晶體，二維薄膜，鈣鈦礦，CVD生長材料，功能二維材料，黑磷納米片、層狀雙氫氧化物、二維MOF、Pd納米片、六方氮化硼納米片，銻烯納米片和二維硼納米片，二硫化鉬等材料，我們還可以提供復雜定制類產品。
產品：
金屬鈦表面包覆氮化鈦薄膜
氮化鈦基AlTiN和TiAlSiN硬納米復合工具膜
二硫化鉬氮化鈦(MoS2/TiN)復合薄膜
層氮化鈦薄膜厚度增加,TiNx/SiO2/Ag/SiO2復合膜
nc—TiN/a—Si3N4納米復合薄膜
Ti—O/Ti—N復合薄膜
氮化鈦(TiNx)薄膜
石墨烯/氮化鈦(G/TiN)復合材料
立方氮化硼聚晶(PcBN)復合材料
TiNx/SiO2/Ag/SiO2復合膜
氮化硅層狀陶瓷
CVD法氮化硅薄膜
氮化硅(SiN)薄膜
弱分隔層(BN)氮化硅層狀復合材料
氮化硅(SiN)針狀晶體
氮化硅/聚苯乙烯復合電子基板材料
氮化硅/碳化硅復合材料(Si3N4/SiC)
多孔氮化硅陶瓷
SiO2和α-Si3N4氮化硅多孔陶瓷
Yb2O3摻雜氮化硅復合材料
CeO2-氮化硅陶瓷
聚醚砜-氮化硅復合材料
聚苯硫醚/納米氮化硅復合材料(PPS-Si3N4)
名稱：錳離子插層MXene Ti2CTx
尺寸：1-5um
純度： 99%
儲存條件：低溫干燥密封務必惰性氣氛中保存
工藝：HF處理或HCl+LiF處理
在Ti3C2Tx中引入高導電性的錳離子以制備一種電磁屏蔽材料。文中探討了Ti3C2Tx的陽離子插層機理，錳離子傾向于與界面含氧末端成鍵，以Mn 3d和O 2p的軌道雜化的方式結合。陽離子插層可以擴大層間距，Ti3C2Tx的電導率。Ti3C2Tx中引入高導電性的錳離子后，制備的MSCs表現的儲能能力和突出的電磁干擾屏蔽效率
純度 98%
貨期 一周
包裝：瓶裝/袋裝
地址：西安
廠家：西安齊岳生物科技有限公司
溫馨提示：西安齊岳生物科技有限公司供應的產品用于科研，不能用于人體和其他商業用途axc,2021.08.26
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