近紅外二區（波長640nm）InAs砷化銦量子點

摘要:

半導體量子點具有光學與電學性質，特別是紅外量子點的光穩定性和生物相容性等特點使其在光電器件、生物醫學等領受到關注。

半導體紅外量子點材料選擇豐富、應用形式多樣:

InAs量子點被動鎖模激光器在13m波長處產生73GHz的近衍射脈沖輸出;

InAs/GaAs量子京雙波長激光器可泵浦產生0.6nW的TH波;PbS量子后雜光纖放大器可在153m中心波長處實現10.50B光増益，帶寬160nm; Cdsete量子點敏化太陽能電池、異質結S基量子點太陽能電池的總轉換效率可達8％和14.8％;膠質HgTe量子京制成的量子紅外探測器(QDP)可實現3m-5m中波紅外測，Ge/Si量子點可實現3um-7um紅外探測; Cdte/Znse核売量子點可用于檢測DNA序列的損傷與突變。半導體紅外量子上述應用形式的發展，將進一步紅外光電系統向、快遠、大規模集成的方向演進，也將極臨床醫學中活體成像檢測的應用推廣

近紅外二區（波長640nm）InAs砷化銦量子點

其他說明：

半導體量子點( Quantum dot，QDa)的所用的樣品均是在 Riber Compact21MBE設制備和性質的研究已經引起了人們的興趣。備上采用SK生長模式制備的。

制備過程為:在了解QD的尺寸大小、分布、密度等對材料性能as(001)半底上，生長厚100mm的影響，是生長條件對QD光電性質的影的GaAs緩沖層，10nm的Ala，As壘層，繼續響，對制備具有性能的半導體器件具有重要生長100m的CaA層， 生長厚度為27M意義-的nAs量子點結構，為了使用原子力顯微鏡測試雙模QDs是通過自的方法獲得的一表面形貌，重復生長沒有帽層的QD結構。兩樣具有尺寸分布的QDs陣列，這種QDs的光致品QDa層分別是在480℃和520℃不同的村底發光( Photoluminescence，PL)譜中會出現兩個相溫度下生長，其他各層生長溫度控制在580℃，樣品編號為A1、A2。使用 Digital Instruments公司的對比強的發光峰。通過雙模QDa變溫L的觀Nanoscope If AFM對QD樣品進行了形貌測試。

關于我們：

西安齊岳生物科技有限公司是國內的納米靶向試劑及材料供應商，我公司提供熒光量子點系列產品（Fluorescent Quantum Dot）我們可以提供定制多種近紅外二區量子點近紅外量子點的定制/ZnCdSe/ZnS/PbSCdSe/PbS/Ag2Te/Ag2Se。提供不同表面配體的核殼型熒光量子點產品包括有：十八胺、alkyl、油酸、氨基和羧基。我們的Fluorescent nanocrystals產品還包括脂溶性的和水溶性的，水溶性的是通過包裹一層聚乙二醇PEG而實現水溶性的，表面可以修飾氨基和羧基。

運輸說明:

低溫產品:低溫產品運輸過程中加裝冰袋運輸。

常溫產品:常溫產品運輸過程中加冰或者包裝

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以上資料來自西安齊岳生物小編ssl2021.11.17

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