近紅外二區(qū)(波長(zhǎng)640nm)InAs砷化銦量子點(diǎn)
摘要:
半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有光學(xué)與電學(xué)性質(zhì),特別是紅外量子點(diǎn)的光穩(wěn)定性和生物相容性等特點(diǎn)使其在光電器件、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)受到關(guān)注。
半導(dǎo)體紅外量子點(diǎn)材料選擇豐富、應(yīng)用形式多樣:
InAs量子點(diǎn)被動(dòng)鎖模激光器在13m波長(zhǎng)處產(chǎn)生73GHz的近衍射脈沖輸出;
InAs/GaAs量子京雙波長(zhǎng)激光器可泵浦產(chǎn)生0.6nW的TH波;PbS量子后雜光纖放大器可在153m中心波長(zhǎng)處實(shí)現(xiàn)10.50B光増益,帶寬160nm; Cdsete量子點(diǎn)敏化太陽能電池、異質(zhì)結(jié)S基量子點(diǎn)太陽能電池的總轉(zhuǎn)換效率可達(dá)8%和14.8%;膠質(zhì)HgTe量子京制成的量子紅外探測(cè)器(QDP)可實(shí)現(xiàn)3m-5m中波紅外測(cè),Ge/Si量子點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)3um-7um紅外探測(cè); Cdte/Znse核売量子點(diǎn)可用于檢測(cè)DNA序列的損傷與突變。半導(dǎo)體紅外量子上述應(yīng)用形式的發(fā)展,將進(jìn)一步紅外光電系統(tǒng)向、快遠(yuǎn)、大規(guī)模集成的方向演進(jìn),也將極臨床醫(yī)學(xué)中活體成像檢測(cè)的應(yīng)用推廣
近紅外二區(qū)(波長(zhǎng)640nm)InAs砷化銦量子點(diǎn)
其他說明:
半導(dǎo)體量子點(diǎn)( Quantum dot,QDa)的所用的樣品均是在 Riber Compact21MBE設(shè)制備和性質(zhì)的研究已經(jīng)引起了人們的興趣。備上采用SK生長(zhǎng)模式制備的。
制備過程為:在了解QD的尺寸大小、分布、密度等對(duì)材料性能as(001)半底上,生長(zhǎng)厚100mm的影響,是生長(zhǎng)條件對(duì)QD光電性質(zhì)的影的GaAs緩沖層,10nm的Ala,As壘層,繼續(xù)響,對(duì)制備具有性能的半導(dǎo)體器件具有重要生長(zhǎng)100m的CaA層, 生長(zhǎng)厚度為27M意義-的nAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu),為了使用原子力顯微鏡測(cè)試雙模QDs是通過自的方法獲得的一表面形貌,重復(fù)生長(zhǎng)沒有帽層的QD結(jié)構(gòu)。兩樣具有尺寸分布的QDs陣列,這種QDs的光致品QDa層分別是在480℃和520℃不同的村底發(fā)光( Photoluminescence,PL)譜中會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)相溫度下生長(zhǎng),其他各層生長(zhǎng)溫度控制在580℃,樣品編號(hào)為A1、A2。使用 Digital Instruments公司的對(duì)比強(qiáng)的發(fā)光峰。通過雙模QDa變溫L的觀Nanoscope If AFM對(duì)QD樣品進(jìn)行了形貌測(cè)試。
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